PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GPIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0

题目
PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G<1C. G=1D. G=0

PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()

A. G>1

B. G<1

C. G=1

D. G=0

相似考题

1.简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。

2.雪崩光电二极管噪声主要来源于倍增噪声。A对B错

3.雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。A．大于1B．略大于1C．等于1D．小于1

4.雪崩光电二极管的倍增因子定义为() 。

更多“PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G<1C. G=1D. G=0 ”相关问题

  • 第1题：

    随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（）时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。

    A．碰撞电离率小于1

    B．碰撞电离率等于1

    C．碰撞电离率积分等于1

    D．碰撞电离率积分小于1


    碰撞电离率积分等于1

  • 第2题：

    外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件（） 。

    A．LED

    B．LD

    C．PIN光电二极管

    D．APD雪崩光电二极管


    错误

  • 第3题：

    雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。

    A．小于1

    B．等于1

    C．大于1

    D．大于或等于1


    在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。

  • 第4题：

    简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。


    在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。

  • 第5题：

    雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。


    正确

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