试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点？

题目

试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点？

相似考题

1.下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种

2.当前集成电路中最流行的制造技术有()。A、DTL技术B、TTL技术C、CMOS技术D、继电器技术

3.把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

4.CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽

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  • 第1题：

    按制造工艺集成电路分为（）。

    • A、半导体集成电路
    • B、TTL集成电路
    • C、厚膜集成电路
    • D、薄膜集成电路
    • E、CMOS集成电路

    正确答案:A,C,D

  • 第2题：

    TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    COMS集成电路与TTL集成电路相比较，有哪些优缺点？


    正确答案: COMS集成电路与TTL集成电路相比较，具有静态功耗低，电源电压范围宽，输入阻抗高，扇出能力强，逻辑摆幅大以及温度稳定性好的优点。但也存在着工作速度低，功耗随着频率的升高而显著增大等缺点。

  • 第4题：

    比较TTL和CMOS逻辑电路各有什么优缺点？


    正确答案:数字集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL电路是电流控制器件，其电路的工作速度快，传输延迟时间短（5-10ns），但是功耗大。CMOS电路为电压控制器件，以功耗低而著称，尤以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路，但电路的工作速度慢。传输延迟时间长（25-50ns），COMS电路本身的功耗还与输入信号脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，CMOS的噪声容限比TTL大，抗干扰能力更强。
    COMS电路的具有锁定效应：当由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

  • 第5题：

    COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。

    • A、静态功耗低，电源电压范围宽
    • B、输入阻抗高，扇出能力强
    • C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大
    • D、温度稳定性好
    • E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第6题：

    与TTL相比，CMOS集成电路主要优点有：（）、（）、（）、（）、（）等。


    正确答案:功耗低；工作电压范围宽；抗干扰能力强；集成度高；成本低

  • 第7题：

    单极性集成电路包括（）

    • A、TTL集成电路
    • B、PMOS集成电路
    • C、NMOS集成电路
    • D、CMOS集成电路

    正确答案:B,C,D

  • 第8题：

    下列说法错误的是（）。 

    • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
    • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
    • C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
    • D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低
    • E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低

    正确答案:A,C,E

  • 第9题：

    与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。

    • A、功耗更大
    • B、材料不同
    • C、工艺相同
    • D、以上都不正确

    正确答案:D

  • 第10题：

    与CMOS电路相比，TTL电路的能耗（）。


    正确答案:较大

  • 第11题：

    判断题
    CMOS电路与双极集成电路相比速度快。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    单极型集成电路是（）。

    • A、TTL型
    • B、TDK型
    • C、CMOS型

    正确答案:C

  • 第14题：

    下列说法错误的是（）

    • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
    • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
    • C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
    • D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
    • E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高

    正确答案:A,C,D

  • 第15题：

    目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和（）电路。

    • A、CMOS
    • B、CPU
    • C、AMP
    • D、AFC

    正确答案:A

  • 第16题：

    TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端的空脚处理是（）。

    • A、CMOS允许悬空
    • B、TTL不允许悬空
    • C、TTL允许悬空
    • D、CMOS不允许悬空

    正确答案:C,D

  • 第17题：

    单极型集成电路可分为（）几种。

    • A、TTL型
    • B、TDK型
    • C、PMOS型
    • D、NMOS型
    • E、CMOS型

    正确答案:C,D,E

  • 第18题：

    CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）

    • A、微功耗
    • B、高速度
    • C、高抗干扰能力
    • D、电源范围宽

    正确答案:A,C,D

  • 第19题：

    下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。

    • A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。
    • B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。
    • C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。
    • D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

    正确答案:A,B,C

  • 第20题：

    下列电路属于单极型器件集成的应是（）.

    • A、TTL集成电路
    • B、HTL集成电路
    • C、MOS集成电路

    正确答案:C

  • 第21题：

    与CMOS电路相比，TTL电路的能耗较大


    正确答案:正确

  • 第22题：

    问答题
    CMOS集成电路有哪些特点？

    正确答案： （1）功耗低
    CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。
    （2）工作电压范围宽
    CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V电压下正常工作。
    （3）逻辑摆幅大
    CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近似15V。因此，CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。
    （4）抗干扰能力强
    CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%，保证值为电源电压的30%。随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时），电路将有7V左右的噪声容限。
    （5）输入阻抗高
    CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围内，这些保护二极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流，通常情况下，等效输入阻抗高达103~1011Ω，因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。
    （6）温度稳定性能好
    由于CMOS集成电路的功耗很低，内部发热量少，而且，CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数能起到自动补偿作用，因而CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路，工作温度为-55~+125℃；塑料封装的电路工作温度范围为-45~+85℃。
    （7）扇出能力强
    扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于CMOS集成电路的输入阻抗极高，因此电路的输出能力受输入电容的限制，但是，当CMOS集成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以驱动50个以上的输入端。
    （8）抗辐射能力强
    CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管，属于多数载流子导电器件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制作航天及核实验设备。
    （9）可控性好
    CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制，其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。
    （10）接口方便
    因为CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱动，也容易驱动其他类型的电路或器件。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。
    A

    微功耗

    B

    高速度

    C

    高抗干扰能力

    D

    电源范围宽


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

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