下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化

题目

下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）

  • A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
  • B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
  • C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降
  • D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
相似考题

1.下列关于子宫位置与形态的叙述，正确的是（ ）

2.下列关于函数依赖的叙述中，（ ）是不正确的。

3.关于栓塞的叙述下列哪项是正确的（ ）。

4.下列关于城市规划的叙述，正确的是（ ）。

更多“下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）”相关问题

  • 第1题：

    关于机体水钠代谢失调，下列叙述正确的是（ ）。


    正确答案：B

  • 第2题：

    关于条件致病菌的叙述下列不正确的是


    正确答案：E
    正常菌群具有相对稳定性，一般不致病，只有当机体免疫力下降，寄居部位改变或菌群失调时方可致病。这些菌群称为条件致病菌或机会致病菌。

  • 第3题：

    下列关于INQ的叙述，正确的是（ ）。


    正确答案：ACDE

  • 第4题：

    极化继电器工作时，它的工作气隙同时有两个独立的磁通，它们是（）

    • A、工作磁通和漏磁通
    • B、主磁通和漏磁通
    • C、工作磁通和极化磁通
    • D、极化磁通和漏磁通

    正确答案:C

  • 第5题：

    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的

    • A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关
    • B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小
    • C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
    • D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
    • E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
    • F、c，d和e都对

    正确答案:F

  • 第6题：

    下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

    • A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
    • B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
    • C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
    • D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
    • E、除A以外都对

    正确答案:E

  • 第7题：

    下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

    • A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
    • B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
    • C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
    • D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化

    正确答案:C

  • 第8题：

    在电磁学中，关于磁路的概念，下列正确说法是（）.

    • A、磁力线所经过的路线
    • B、主磁通形成闭合回路所经过的路径
    • C、漏磁通形成闭合回路所经过的路径
    • D、主磁通与漏磁通共同经过的路径

    正确答案:B

  • 第9题：

    单选题
    下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）
    A

    与试件上总的磁通密度有关

    B

    与缺陷自身高度有关

    C

    磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

    D

    以上都对


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的
    A

    磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关

    B

    缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小

    C

    在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响

    D

    交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小

    E

    当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响

    F

    c，d和e都对


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）
    A

    内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大

    B

    缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比

    C

    表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱

    D

    用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
    A

    缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小

    B

    在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响

    C

    交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小

    D

    在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；

    E

    除A以外都对


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下列关于休止角叙述正确的是（ ）。


    正确答案：B

  • 第14题：

    下列关于关系模式的码的叙述中，（ ）是不正确的?


    正确答案：C
    当候选码多于一个时，选定其中一个做主码。包含在任何一个候选码中的属性叫做主属性。不包含在任何候选码中的属性叫做非主属性。最简单的情况，单个属性是码。最极端的情况，整个属性组是码，称做全码。

  • 第15题：

    下列关于非参数统计叙述中正确的是


    正确答案：E

  • 第16题：

    下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）

    • A、与试件上总的磁通密度有关
    • B、与缺陷自身高度有关
    • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
    • D、以上都对

    正确答案:D

  • 第17题：

    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

    • A、它与试件上的磁通密度有关
    • B、它与缺陷的高度有关
    • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
    • D、以上都对

    正确答案:D

  • 第18题：

    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。

    • A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
    • B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
    • C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
    • D、 以上都对

    正确答案:D

  • 第19题：

    变压器负载运行时，依靠电磁感应作用将能量传递。而起传递作用的磁通是（）。

    • A、原边漏磁通
    • B、副边漏磁通
    • C、主磁通
    • D、漏磁通和主磁通

    正确答案:C

  • 第20题：

    单选题
    下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
    A

    它与试件上的磁通密度有关

    B

    它与缺陷的高度有关

    C

    磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

    D

    以上都对


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    下列关于异步电动机的电磁转矩的说法中，正确的是（）。
    A

    由定子主磁通和转子电流相互作用而产生

    B

    由定子电流和转子主磁通相互作用而产生

    C

    由定子漏磁通和转子电压相互作用而产生

    D

    由定子电压和转子漏磁通相互作用而产生


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）
    A

    内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大

    B

    缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比

    C

    表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降

    D

    用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简述什么是主磁通？什么是漏磁通？比较主磁通和漏磁通的大小，并说明为什么？

    正确答案： 只在磁路中闭合的磁通称为主磁通；部分经过磁路、部分经过磁路周围媒质，或者全部经过磁路周围媒质闭合的磁通称为漏磁通。因为铁磁材料的磁导率远高于周围媒质的磁导率，所以主磁通远大于漏磁通。
    解析： 暂无解析

相关内容