更多“在功率场效应管中,参与导电的有()”相关问题
  • 第1题:

    简述场效应管的导电原理是什么。


    正确答案:场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它是由电场强弱来改变导电沟道宽窄,在基本不取用信号电流的情况下,控制漏极电流的大小,从而实现信号的放大,所以它是一种电压控制元件。

  • 第2题:

    功率场效应管的三个引脚中栅极相当于晶体管的()


    正确答案:基极

  • 第3题:

    耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。


    正确答案:正确

  • 第4题:

    IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。

    • A、绝缘栅场效应管
    • B、结型场效应管
    • C、绝缘栅双极晶体管
    • D、双极型功率晶体管

    正确答案:C

  • 第5题:

    场效应管是()器件,只依靠()导电。


    正确答案:电压控制电流器件;多数载流子

  • 第6题:

    MOS场效应管按导电沟道划分为N和()两大类。


    正确答案:P

  • 第7题:

    功率场效应管(MOSFET)的特点有哪些?


    正确答案:(1)压控器件,驱动简单
    (2)多子导电器件,开关频率高
    (3)电阻率具有正的温度系数,器件容易并联运行
    (4)无二次击穿
    (5)适合于低压、小功率、高频的应用场合
    (6)高压器件的导通电阻大

  • 第8题:

    在电解质溶液中,参与导电的载流子是溶液分子中的质子。


    正确答案:错误

  • 第9题:

    问答题
    简述场效应管的导电原理是什么。

    正确答案: 场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它是由电场强弱来改变导电沟道宽窄,在基本不取用信号电流的情况下,控制漏极电流的大小,从而实现信号的放大,所以它是一种电压控制元件。
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()
    A

    无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴

    B

    P型半导体中只有空穴导电

    C

    N型半导体中只有自由电子参与导电

    D

    在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    功率场效应管(MOSFET)的特点有哪些?

    正确答案: (1)压控器件,驱动简单
    (2)多子导电器件,开关频率高
    (3)电阻率具有正的温度系数,器件容易并联运行
    (4)无二次击穿
    (5)适合于低压、小功率、高频的应用场合
    (6)高压器件的导通电阻大
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    场效应管参与导电的载流子是()。
    A

    电子

    B

    空穴

    C

    多数载流子

    D

    少数载流子


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()

    • A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴
    • B、P型半导体中只有空穴导电
    • C、N型半导体中只有自由电子参与导电
    • D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

    正确答案:A

  • 第14题:

    结型场效应管的基本工作原理是()

    • A、改变导电沟道中的载流子浓度
    • B、改变导电沟道中的横截面积
    • C、改变导电沟道中的有效长度
    • D、改变导电沟道中的体积

    正确答案:B

  • 第15题:

    在机电接口的功率接口中常用的驱动元件有()

    • A、功率晶体管
    • B、晶闸管
    • C、功率场效应管
    • D、固态继电器

    正确答案:A,B,C,D

  • 第16题:

    场效应管是利用一种多子导电,其受温度的影响很小。


    正确答案:正确

  • 第17题:

    当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。


    正确答案:耗尽;增强

  • 第18题:

    下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第19题:

    下列器件中,会发生二次击穿现象的有()

    • A、GTO
    • B、功率晶体管
    • C、功率场效应管
    • D、1GBT

    正确答案:B

  • 第20题:

    晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。


    正确答案:正确

  • 第21题:

    多选题
    在机电接口的功率接口中常用的驱动元件有()
    A

    功率晶体管

    B

    晶闸管

    C

    功率场效应管

    D

    固态继电器


    正确答案: C,B
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    关于P型、N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。
    A

    无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴

    B

    P型半导体中只有空穴导电

    C

    N型半导体中只有自由电子参与导电

    D

    在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    填空题
    在功率场效应管中,参与导电的有()

    正确答案: 一种载流子
    解析: 暂无解析