当GTR发生的二次击穿，（）

题目

当GTR发生的二次击穿，（）

相似考题

1.GTR存在二次击穿现象。()

2.当二次电压正常,二次电流显著降低时,可能发生了()。A、电晕线断线B、阴极或阳极的振打装置失灵C、电缆击穿D、气流分布板孔眼被堵

3.当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?()A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿

4.什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。

参考答案和解析
正确答案:GTR将永久损坏无法工作
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  • 第1题：

    当二次电压正常，二次电流显著降低，可能是因为（）造成的。

    A电晕极断线；

    B电晕线肥大；

    C电缆击穿；

    D气流分布板孔眼被堵。


    B
    略

  • 第2题：

    当GTR发生的一次击穿，（）


    正确答案:只要限制IC在一定范围内，GTR就会恢复，并能继续正常工作

  • 第3题：

    电力场效应管MOSFET（）现象。

    • A、有二次击穿
    • B、无二次击穿
    • C、防止二次击穿
    • D、无静电击穿

    正确答案:B

  • 第4题：

    IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）

    • A、电磁噪音很小
    • B、电流波形大为改善，电机的转矩增大
    • C、IGBT管二次击穿现象小
    • D、最大管子容量比GTO管大的多

    正确答案:A,B,C

  • 第5题：

    关于二次击穿，以下说法正确的是（）。

    • A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿
    • B、功率MOSFET不会发生二次击穿
    • C、二次击穿可能使器件永久性损坏
    • D、二次击穿的过程很短暂

    正确答案:B,C,D

  • 第6题：

    当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）

    • A、雪崩击穿
    • B、齐纳击穿
    • C、热击穿
    • D、碰撞击穿

    正确答案:A

  • 第7题：

    电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。

    • A、有二次击穿
    • B、无二次击穿
    • C、防止二次击穿
    • D、无静电击穿

    正确答案:B

  • 第8题：

    试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。


    正确答案:GTR有二次击穿现象，而PowerMOSFET没有二次击穿现象的根本原因是这两种器件的工作载流子性质不同。GTR这类双极性器件主要依靠少数载流子的注入传导电流，少数载流子的注入密度随结温升高而增大。电流的增大使结温进一步升高，从而使得电流与结温之间具有正反馈的关系。而功率MOSFET主要依靠多数载流子导电，多数载流子的迁移率随温度的上升而下降，其宏观表现就是漂移区的电阻升高，电阻升高会使电流减小，电流的减小使得结温下降，从而使得电流与结温之间呈负反馈关系。该特性不仅使得功率MOSFET没有热反馈引起的二次击穿现象，其安全工作区大大增大。

  • 第9题：

    单选题
    当表盘显示二次电压低，二次电流正常，则可能发生了（）。
    A

    电晕线断线，其残留段摆动

    B

    电晕线肥大

    C

    电缆击穿

    D

    气流分布板堵


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    当GTR发生的二次击穿，（）

    正确答案： GTR将永久损坏无法工作
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    当GTR发生的一次击穿，（）

    正确答案： 只要限制IC在一定范围内，GTR就会恢复，并能继续正常工作
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）
    A

    失控

    B

    二次击穿

    C

    不能控制关断

    D

    不能控制开通


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    当表盘显示二次电压低，二次电流正常，则可能发生了（）。

    • A、电晕线断线，其残留段摆动
    • B、电晕线肥大
    • C、电缆击穿
    • D、气流分布板堵

    正确答案:B

  • 第14题：

    当表盘显示二次电流不稳定，毫安表指针急剧摆动，则可能发生了（）。

    • A、电晕线断线，其残留段摆动
    • B、电晕线肥大
    • C、电缆击穿
    • D、气流分布板堵

    正确答案:A

  • 第15题：

    GTR的主要缺点之一是（）

    • A、开关时间长
    • B、高频特性差
    • C、通态压降大
    • D、有二次击穿现象

    正确答案:D

  • 第16题：

    功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。

    • A、一次击穿
    • B、二次击穿
    • C、临界饱和
    • D、反向截止

    正确答案:B

  • 第17题：

    在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）

    • A、失控
    • B、二次击穿
    • C、不能控制关断
    • D、不能控制开通

    正确答案:A

  • 第18题：

    GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    描述GTR的二次击穿特性。


    正确答案:GTR的集电极电压升高至前面所述的击穿电压时，集电极电流迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。出现一次击穿后，只要Ic不超过与最大允许耗散功率相对应的限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不会有什么变化。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如果不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。

  • 第20题：

    单选题
    电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。
    A

    有二次击穿

    B

    无二次击穿

    C

    防止二次击穿

    D

    无静电击穿


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    描述GTR的二次击穿特性。

    正确答案： GTR的集电极电压升高至前面所述的击穿电压时，集电极电流迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。出现一次击穿后，只要Ic不超过与最大允许耗散功率相对应的限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不会有什么变化。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如果不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。
    A

    一次击穿

    B

    二次击穿

    C

    临界饱和

    D

    反向截至


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。

    正确答案： GTR有二次击穿现象，而PowerMOSFET没有二次击穿现象的根本原因是这两种器件的工作载流子性质不同。GTR这类双极性器件主要依靠少数载流子的注入传导电流，少数载流子的注入密度随结温升高而增大。电流的增大使结温进一步升高，从而使得电流与结温之间具有正反馈的关系。而功率MOSFET主要依靠多数载流子导电，多数载流子的迁移率随温度的上升而下降，其宏观表现就是漂移区的电阻升高，电阻升高会使电流减小，电流的减小使得结温下降，从而使得电流与结温之间呈负反馈关系。该特性不仅使得功率MOSFET没有热反馈引起的二次击穿现象，其安全工作区大大增大。
    解析： 暂无解析

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