PAET6R的灵敏度是()
第1题:
在阳极溶出伏安法中,富集电位一般控制在比待测离子峰电位()
第2题:
测重过零电压值在()之间调整,以防止丢轴或加轴误。
第3题:
500型万用表表盘符号含义2000Ω/V/DC表示()。
第4题:
硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。
第5题:
轿车电动制水器电机的试验电压为()。
第6题:
刮水器耐久试验的试验电压为()。
第7题:
DC 600V 车充电机的IGBT 单级导通电压为()。
第8题:
TTL电路使用的电源电压VCC=()
第9题:
0.2V
0.5V
1V
第10题:
0.2V
0.7V
2V
第11题:
0.1~0.2V/0.3V
0.2~0.3V/0.7V
0.3~0.5V/0.7V
0.5V/0.7V
第12题:
0~0.2V
0.2~0.4V
0.4~0.8V
0.8~1.2V
1.2~1.6V
第13题:
可控硅导通后,其压降()左右。
第14题:
DC 600 V车的充电机的IGBT单级导通电压()。
第15题:
已知接收机灵敏度为0.5μv,这时接收机的输入电压电平A为()
第16题:
RS-485接口的差模输入电压()
第17题:
驼峰推峰无线机车信号系统地面设备的输出电压,主机为()
第18题:
电压比校核试验变压器的高压输出端应串接保护电阻器,保护电阻的取值一般为()。
第19题:
硅二极管的正向压降是()
第20题:
+0.2~+0.8V
+0.2~+1.0V
+0.2~+1.2V
+0.2~+1.4V
第21题:
0.7V
0.2V
1V
第22题:
2μV/mm
5μV/mm
7μV/mm
10μV/mm
0.2μV/mm
第23题:
6V±IV
12V±1V
15’V±3V
15V±6V