参考答案和解析
正确答案:因为增强型MOS管要靠外加栅压才能形成导电通道,所以不适用于自给栅偏压电路形式。
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  • 第1题:

    ()场效应管能采取自偏压电路。

    A、增强型和结型

    B、耗尽型和结型

    C、都不能

    D、增强型和耗尽型


    参考答案:B

  • 第2题:

    零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()


    正确答案:错

  • 第3题:

    CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:正确

  • 第4题:

    场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

    A.增强型

    B.耗尽型

    C.增强型和耗尽型

    D.以上均不对


    参考答案:C

  • 第5题:

    增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?
    因为增强型MOS管要靠外加栅压才能形成导电通道,所以不适用于自给栅偏压电路形式。

  • 第6题:

    单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()

    • A、固定栅偏压
    • B、固定自偏压
    • C、栅极自给偏压
    • D、BC相结合

    正确答案:A

  • 第7题:

    场效应管的类型有()。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第8题:

    UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第9题:

    当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第10题:

    为了使集成运放具有较强的放大能力,其中间级多采用()。

    • A、共射放大电路
    • B、共集放大电路
    • C、共基放大电路
    • D、共栅放大电路

    正确答案:A

  • 第11题:

    单选题
    单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的,其栅偏压应采用()
    A

    固定栅偏压

    B

    固定自偏压

    C

    栅极自给偏压

    D

    B与C相结合


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()
    A

    固定栅偏压

    B

    固定自偏压

    C

    栅极自给偏压

    D

    BC相结合


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。

    A.固定栅偏压

    B.固定自偏压

    C.栅极自给偏压

    D.BC相结合


    参考答案:A

  • 第14题:

    MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:正确

  • 第15题:

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案:AB

  • 第16题:

    CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?


    答案:采用一个PMOS管和一个NMOS管。

  • 第17题:

    单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的,其栅偏压应采用()

    • A、固定栅偏压
    • B、固定自偏压
    • C、栅极自给偏压
    • D、B与C相结合

    正确答案:D

  • 第18题:

    结型场效应管的类型有()。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第19题:

    结型场效应管放大电路的偏置方式是()

    • A、自给偏压电路
    • B、外加偏压电路
    • C、无须偏置电路
    • D、栅极分压与源极自偏结合

    正确答案:A,D

  • 第20题:

    某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第21题:

    CMOS反相器基本电路包括()

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第22题:

    兼有()和()两种增强型MOS电路称为CMOS电路。


    正确答案:N沟道;P沟道

  • 第23题:

    单选题
    三极管放大电路中,直流通路主要用来确定电路()的。
    A

    放大倍数

    B

    静态工作点

    C

    波形失真

    D

    偏压


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    电子管放大器的栅极经偏压电源接地,帘栅经帘栅电源接地,栅极和帘栅极射频直接接地,我们称这样的放大器为()放大器。

    正确答案: 栅地或共栅
    解析: 暂无解析