测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。
第1题:
试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()
第2题:
测量被试设备的介损值,应该使用()。
第3题:
在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。
第4题:
相对介质损耗因数和电容量比值检测,同相设备介损测量值与初始测量值比较,变化范围不超过()。
第5题:
用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?
第6题:
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。
第7题:
用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。
第8题:
在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。
第9题:
用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。
第10题:
进行绝缘介损测量时,当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。()
第11题:
下列哪项试验是电容式电压互感器的诊断性试验项目()。
第12题:
第13题:
用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时,其电容量应是整体电容量的()。
第14题:
当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
第15题:
变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。
第16题:
若电容量和介损试验结果超标,结合()等试验项目结果综合判断。
第17题:
测量变压器绕组的介损值时,介损测试仪应该使用正接法。()
第18题:
测量绝缘介质出现负值的主要原因是()
第19题:
当标准电容器有很大的介损时,实测试品(绝缘)介损一定为负值。
第20题:
用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量,操作不正确的是()。
第21题:
使用高压电桥测量耦合电容器(包括断路器的断口均压电容器)的介损和电容时,宜采用(),反接线测量误差较()。
第22题:
当采用电磁单元为电源测量电容式电压互感器的电容分压器C1和C2的电容量和介损时,必须严格按照试验规程规定。()
第23题:
测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时,有末屏的应尽量使用()进行测量。