镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体,是一种()材料。

题目

镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体,是一种()材料。


相似考题
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  • 第1题:

    下列材料属于N型半导体是()。

    • A、硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
    • B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)
    • C、砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
    • D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

    正确答案:A,C

  • 第2题:

    磷砷化镓数码管的工作电压为()。

    • A、5V
    • B、20V
    • C、1.5V~3V

    正确答案:C

  • 第3题:

    发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成,它在通过正向电流时会发光,发光的颜色取决于所用的材料,可发出红、黄、绿及红外光等。()


    正确答案:正确

  • 第4题:

    发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成,它在通过()电流时会发光,发光的颜色取决于所用的材料,可发出红、黄绿及红外光等。

    • A、正向
    • B、反向
    • C、同步
    • D、同向

    正确答案:A

  • 第5题:

    太阳能电池一般由半导体材料制成。下面不属于半导体材料的是()。

    • A、锗
    • B、玻璃
    • C、砷化镓
    • D、硅

    正确答案:B

  • 第6题:

    ()是最常用的一种半导体材料。

    • A、砷化镓
    • B、硅
    • C、磷
    • D、锢

    正确答案:B

  • 第7题:

    砷化锌,砷化镓


    正确答案:2853009022

  • 第8题:

    问答题
    砷化镓相对于硅的主要缺点是什么?

    正确答案: 主要缺点:缺乏天然氧化物;材料的脆性;成本比硅高10倍;有剧毒性在设备,工艺和废物清除设施中特别控制。
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    问答题
    比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。

    正确答案: 砷化镓和磷化铟等衬底为半绝缘体,硅衬底为半导体。因此,硅衬底上电感有衬底损耗电阻和电容。
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    填空题
    砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

    正确答案: 气相,气束
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    ()是最常用的一种半导体材料。
    A

    砷化镓

    B

    C

    D


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    半导体材料中锗和硅属于()结构,砷化镓属于()结构。

    正确答案: 金刚石,闪锌矿
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    属于绝缘体的正确答案是()。

    • A、金属、石墨、人体、大地
    • B、橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
    • C、硅、锗、砷化镓、磷化铟
    • D、各种酸、碱、盐的水溶液

    正确答案:B

  • 第14题:

    化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是()。

    • A、锡
    • B、硼
    • C、磷
    • D、锰

    正确答案:A

  • 第15题:

    霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。

    • A、锗
    • B、硅
    • C、砷化镓
    • D、砷化铟

    正确答案:A,B,C,D

  • 第16题:

    转换效率比较高的太阻电池材料是()。

    • A、砷化镓
    • B、非晶硅
    • C、单晶硅
    • D、陶瓷

    正确答案:A

  • 第17题:

    太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。


    正确答案:镓、铟

  • 第18题:

    以下不属于太阳能光伏电池材料的是()。

    • A、硫化镉
    • B、砷化镓
    • C、氟化铵
    • D、多晶硅

    正确答案:C

  • 第19题:

    .LED的制成原料包含()。

    • A、锗化钾
    • B、砷化镓
    • C、磷化镓
    • D、氰化钾

    正确答案:B,C

  • 第20题:

    问答题
    简述砷化镓单晶的主要制备方法。

    正确答案: 一种是在石英管密封系统中装有砷源,通过调节砷源温度来控制系统中的砷压。这种方法包括水平舟区熔法、定向结晶法、温度梯度法、磁拉法和浮区熔炼法等。另一种是将熔体用某种液体覆盖,并在压力大于砷化镓离解压的气氛中合成拉晶,称为液体封闭直拉法。
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    砷化镓相对于硅的优点是什么?

    正确答案: 砷化镓具有比硅更高的电子迁移率,因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大,这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离,不会产生电学性能的损失。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    多选题
    LED的制成原料包含()。
    A

    锗化钾

    B

    砷化镓

    C

    磷化镓

    D

    氰化钾


    正确答案: C,A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    填空题
    砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入(在As的位置上)属于()型半导体。

    正确答案: n
    解析: 暂无解析