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特高频超声波局部放电检测
GIS中有可能引起电场畸变的主要绝缘缺陷包括:()。A、自由金属微粒;B、绝缘子气隙;C、绝缘子表面金属污染物;D、悬浮电极。
GIS中有可能引起电场畸变的主要绝缘缺陷包括:()。A、自由金属微粒;B、绝缘子气隙;C、绝缘子表面金属污染物;D、悬浮电极。
题目
GIS中有可能引起电场畸变的主要绝缘缺陷包括:()。
A、自由金属微粒;
B、绝缘子气隙;
C、绝缘子表面金属污染物;
D、悬浮电极。
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参考答案和解析
正确答案:
A,B,C,D
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