硅管比锗管受温度影响()。
第1题:
第2题:
第3题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第4题:
因反负饱合电流的影响,在温度变化较大的环境下三极管应选择()管;
第5题:
锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
第6题:
国产晶体管2CW表示()。
第7题:
在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()
第8题:
硅管的导通电压比锗管大,反向电流比锗管(),温度稳定性比锗管()。
第9题:
按制作三极管的基片材料分,三极管可分为()两大类。
第10题:
NPN三极管为()。
第11题:
硅二极管反向导通电流一般()。
第12题:
NPN硅管
PNP硅管
NPN锗管
PNP锗管
第13题:
第14题:
在某放大电路中,测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V,则这只三极管为()。
第15题:
关于9013,下面()是正确的。
第16题:
三极管3DG130C是()。
第17题:
锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。
第18题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第19题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第20题:
晶体管的PN结的正向压降为()。
第21题:
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度()。
第22题:
硅管比锗管受温变影响()。
第23题:
对
错