有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形

题目

有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。

  • A、负胶受显影液的影响比较小
  • B、正胶受显影液的影响比较小
  • C、正胶的曝光区将会膨胀变形
  • D、使用负胶可以得到更高的分辨率
  • E、负胶的曝光区将会膨胀变形

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参考答案和解析
正确答案:A,C,D
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  • 第1题:

    解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?


    正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上,负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面,这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
    正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化,它将留在硅片表面,作为后步工艺的保护层,不需要改变掩膜版的极性,并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀,所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶,深紫外光刻胶。

  • 第2题:

    在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。

    • A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
    • B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
    • C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
    • D、有较高的光敏度
    • E、有较高的对比度

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第3题:

    腐蚀液温度对胶层的膨胀速度影响很大()。

    • A、温度高,胶层膨胀速度就很快
    • B、温度低,胶层膨胀速度就很快
    • C、温度高,胶层膨胀速度就很慢
    • D、温度低,胶层膨胀速度变化不大

    正确答案:A

  • 第4题:

    关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是()。

    • A、负胶的感光区域溶解
    • B、正胶的感光区域溶解
    • C、负胶的感光区域不溶解
    • D、正胶的感光区域不溶解
    • E、负胶的非感光区域溶解

    正确答案:B,C,E

  • 第5题:

    用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。

    • A、ARC
    • B、HMDS
    • C、正胶
    • D、负胶

    正确答案:C

  • 第6题:

    问答题
    什么是正光刻胶,负光刻胶?

    正确答案: 正光刻胶:胶的曝光区在显影中除去,当前常用正胶为DQN,组成为光敏剂重氮醌(DQ),碱溶性的酚醛树脂(N),和溶剂二甲苯等。
    解析: 暂无解析

  • 第7题:

    填空题
    光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

    正确答案: 光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度,高,高
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    问答题
    光刻胶正胶和负胶的区别是什么?

    正确答案: 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应,可溶于显影液,未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面,它一般适合做长条形状;负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中,而感光部分显影后仍然留在基片表面,它一般适合做窗口结构,如接触孔、焊盘等。
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    填空题
    光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。

    正确答案: 感光剂、基体材料和溶剂,重氮醌,长链分子断裂,去除,交联,保留
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    填空题
    曝光后显影时感光的胶层没有溶解,没有感光的胶层溶解,这种胶为()(正/负)胶。

    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    显影时,正胶和负胶的哪个区发生溶解?而哪个区则不会溶解。

    正确答案: 正胶的曝光区和负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解,而正胶的非曝光区和负胶的曝光区的光刻胶则不会在显影液中溶解(或很少溶解)。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

    正确答案: 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?


    正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

  • 第14题:

    感光胶分为正性胶和负性胶,简述它们是如何定义。


    正确答案: (1)负性胶这种胶在曝光前对某些有机溶剂是可溶的,曝光后发生光聚合反应,不溶于有机溶剂。当用它进行光刻时,在衬底表面将得到与光刻掩模版遮光图案完全相反的图形,故称之为负性胶。
    (2)正性胶这种胶在曝光前对某些有机溶剂是不可溶的,而曝光后却变成可溶的,使用它进行光刻时,在衬底表面将得到与光刻掩模版遮光图案完全相同的图形,故称之为正性胶。

  • 第15题:

    薄胶层变形需要的应力比厚胶层()。


    正确答案:

  • 第16题:

    关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。

    • A、正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶
    • B、正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解
    • C、负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低
    • D、正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解
    • E、负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低

    正确答案:A,C,E

  • 第17题:

    问答题
    什么是负胶分辨率的限制,哪种胶应用在亚微米光刻胶中?

    正确答案: 由于显影时的变形和膨胀,负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。
    正性光刻胶。
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  • 第18题:

    问答题
    简述正胶和负胶显影效果

    正确答案: 正性光刻胶:曝光区域溶解于显影液,显影后图形与掩模版图形一样
    负性光刻胶:曝光区域不溶解于显影液,显影后图形与掩模版图形相反
    解析: 暂无解析

  • 第19题:

    问答题
    简述正性胶和负性胶的作用原理。

    正确答案: 光致抗蚀剂根据光照后溶解度变化的不同分为正胶和负胶。
    负性光刻胶是在光照下,涂层的溶解度下降,在溶解过程中(也称为显影过程)被保留下来,在化学腐蚀过程中(也称为刻蚀过程)保护氧化层。
    正性光刻胶的性能正好相反,感光胶被光照后溶解度增加,在显影过程中被除去,其所覆盖部分在刻蚀过程中被腐蚀掉。
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    问答题
    简要说明正胶和负胶的关光刻原理与特性。

    正确答案: 原理:临时性地涂覆在硅片表面,通过曝光转移设计图形到光刻胶上。
    负胶特性:
    1曝光后不可溶解
    2显影时未曝光的被溶解
    3便宜
    正胶特性:
    1曝光后可溶解
    2显影时曝光的被溶解
    3高分辨率
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  • 第21题:

    问答题
    简述正胶和负胶区别。

    正确答案: 正胶:曝光的部分易溶解,占主导地位;
    负胶:曝光的部分不易溶解。负胶的粘附性和抗刻蚀性能好,但分辨率低。
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  • 第22题:

    判断题
    如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
    A

    B


    正确答案:
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  • 第23题:

    问答题
    什么是负光刻胶?

    正确答案: 负光刻胶:胶的曝光区在显影中保留,未曝光区在显影中除去,负胶多由长链高分子有机物组成
    解析: 暂无解析