通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散

题目

通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

  • A、再分布
  • B、等表面浓度扩散
  • C、预淀积
  • D、等总掺杂剂量扩散
相似考题

1.什么是“湿热扩散”?湿热扩散对粮食储藏有什么影响?

2.多相催化一般经历七个步骤：反应物外扩散、内扩散、（）及反应生成物脱附（）等。A、吸附B、反应C、内扩散D、外扩散

3.假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

4.多相催化一般经历七个步骤：反应物外扩散、内扩散、（）、反应、及反应生成物脱附、内扩散、外扩散等。A、稀释B、溶解C、吸附D、分离

更多“通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散”相关问题

  • 第1题：

    CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？


    正确答案: CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<0e−EA/KT淀积速率随温度的升高而成指数增加。②高温情况下，质量输运控制由于反应速度的加快，输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量，这时的淀积速率将转为由质量输运控制，基本不再随温度变化而变化。

  • 第2题：

    一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。

    • A、恒定总掺杂剂量
    • B、不恒定总掺杂剂量
    • C、恒定杂志浓度
    • D、不恒定杂志浓度

    正确答案:A

  • 第3题：

    造成湿热扩散的原因何在？湿热扩散与储粮稳定性有何关系？


    正确答案: 由于温差存在，与储粮的关系为粮食水分升高，呼吸升高，微生物繁殖加快，严重时结顶霉变。

  • 第4题：

    气体燃料的燃烧方式大致可分为（）。

    • A、混合、扩散燃烧方式两种；
    • B、预混合、部分预混合燃烧方式两种；
    • C、部分预混合、扩散、预混合燃烧方式三种；
    • D、部分预混合、扩散燃烧方式两种

    正确答案:C

  • 第5题：

    通常用热空气干燥，湿扩散和热扩散的方向一致，有利于干燥的进行。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    关于温度对化学反应过程各步骤的影响，下述哪些说法正确？（）

    • A、温度对外扩散过程的影响最大；
    • B、温度对化学反应和扩散步骤均有影响，但对化学反应步骤的影响要比扩散大得多；
    • C、温度对内扩散步骤的影响最大；
    • D、温度对内扩散的影响很小

    正确答案:B

  • 第7题：

    判断题
    实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    名词解释题
    热扩散率（热扩散系数，导温系数）a

    正确答案： a=λ∕（ρcp）称为热扩散率，热扩散系数，导温系数，单位为m2/s，表征物体被加热或冷却时，物体内各部分温度趋于均匀一致的能力。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

    正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
    （1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
    （2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

    • A、4～6h
    • B、50min～2h
    • C、10～40min
    • D、5～10min

    正确答案:C

  • 第14题：

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。

    • A、1050～1200℃
    • B、900～1050℃
    • C、1100～1250℃
    • D、1200～1350℃

    正确答案:A

  • 第15题：

    电化学精制工艺流程一般有预碱洗、（）、（）、（）、（）等步骤，其中预碱洗的目的是（）。


    正确答案: 酸洗；水洗；碱洗；水洗；脱除H2S

  • 第16题：

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

    • A、600～750℃
    • B、900～1050℃
    • C、1100～1250℃
    • D、950～1100℃

    正确答案:B

  • 第17题：

    热扩散


    正确答案: 由于温度分布不均匀而引起系统中各部分气体的质量迁移称为热扩散

  • 第18题：

    热扩散率（热扩散系数，导温系数）a


    正确答案: a=λ∕（ρcp）称为热扩散率，热扩散系数，导温系数，单位为m2/s，表征物体被加热或冷却时，物体内各部分温度趋于均匀一致的能力。

  • 第19题：

    判断题
    热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    简述热扩散所需经历的步骤

    正确答案： •建立浓度差
    •杂质扩散至合适的结深
    •杂质与硅原子成键
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    气体燃料的燃烧方式大致可分为（）。
    A

    混合、扩散燃烧方式两种；

    B

    预混合、部分预混合燃烧方式两种；

    C

    部分预混合、扩散、预混合燃烧方式三种；

    D

    部分预混合、扩散燃烧方式两种


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）
    A

     离子注入

    B

     热扩散


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

    正确答案： 预淀积,推进,激活
    解析： 暂无解析

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