在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。A、MOS栅极B、保护性元件C、电容器极板D、制造只读存储器PROME、晶圆背面电镀

题目

在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。

  • A、MOS栅极
  • B、保护性元件
  • C、电容器极板
  • D、制造只读存储器PROM
  • E、晶圆背面电镀
相似考题

1.MOS是()的简称。A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

2.运行中单台电容器保护用熔断器熔丝熔断，应进行（），若无异常，更换熔丝后可投入运行，若熔丝再次熔断，则须对该电容器进行极间交流耐压试验，未经试验合格，该电容器不得投入运行。

3.为了防止电容器爆炸事故的发生，要求每台熔断器熔丝规格必须匹配，熔断器熔丝断后要认真查找原因（）。A电容器组不得使用重合闸跳闸后可以强送电B电容器组不得使用重合闸跳闸后不得强送电C电容器组可以使用重合闸跳闸后可以强送电D电容器组不得使用重合闸跳闸后可以强送电，以免照成重大事故

4.系统程序已由制造厂家直接固化在只读存储器中，用户不能访问和修改。()

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  • 第1题：

    《压力管道元件制造许可规则》规定，制造厂在取得（）后才可以从事制造活动。

    A注册

    B特种设备制造许可证

    C工业产品许可证


    B
    略

  • 第2题：

    在处理整机故障时要注意（）。

    • A、随时调整电路中的微调元件
    • B、更换晶体管时仔细核对管脚，防止接错
    • C、可以用大容量熔断丝代替小容量熔断丝
    • D、测量集成电路各引脚工作电压时防止断路

    正确答案:B

  • 第3题：

    沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

    • A、不会影响成品率
    • B、晶圆缺陷
    • C、成品率损失
    • D、晶圆损失

    正确答案:C

  • 第4题：

    所谓集成电路，指的是在半导体单晶片上制造出含有大量电子元件和连线的电子电路。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    集成电路的主要制造流程是（）

    • A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
    • B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
    • C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
    • D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

    正确答案:A

  • 第6题：

    下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是（）。

    • A、辉光放电法
    • B、反应溅射法
    • C、化学气相沉积法
    • D、电镀法

    正确答案:D

  • 第7题：

    并联电容器组熔断器熔断，开展B类检修，更换熔丝。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    容量在30kvar以下的柱上电力电容器一般采用跌落式熔断器保护。熔丝元件一般按电力电容器额定电流的3倍选择。


    正确答案:错误

  • 第9题：

    问答题
    在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？

    正确答案： 低k材料用于层间介质，因为低k介质减小电容，从而减小RC信号延迟，提高器件工作频率。高k介质用在替代栅氧化层，提高栅氧厚度，抑制栅极隧穿漏电流；还可应用于DRAM存储器，提高存储电荷（或能量）密度，简化栅介质结构。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
    A

    集成电路制造（晶圆加工）

    B

    集成电路封装

    C

    集成电路测试

    D

    集成电路设计


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    关于电容器，下列说法正确的是（）
    A

    电容器两极板上所带的电荷量相等，种类相同。

    B

    电容器两极板上所带的电荷量相等，种类相反。

    C

    电容器既是储能元件又是耗能元件。

    D

    电容器的电容量是无限大的。


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述晶圆的制造步骤

    正确答案： 1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。
    2、切片
    3、磨片和倒角
    4、刻蚀
    5、化学机械抛光
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    跌落式熔断器及熔丝的额定电流选择原则是（）。

    • A、跌落式熔断器的额定电流必须大于或等于熔丝元件的额定电流；
    • B、配电变压器一次侧熔丝元件选择。当配电变压器容量在100kVA及以下时，按变压器额定电流的2～3倍选择元件；当变压器容量在100kVA以上时，按变压器额定电流的1.5～2倍选择元件；
    • C、柱上电力电容器。容量在30kvar以下的柱上电力电容器一般采用跌落式熔断器保护。熔丝元件一般按电力电容器额定电流的1.5～2.5倍选择；
    • D、10kV用户进口。用户进口的熔丝元件一般不应小于用户最大负荷电流的1.5倍，用户配电变压器（或其他高压设备）一次侧熔断器的熔丝元件应比进口跌落式熔断器熔丝元件小一级考虑。

    正确答案:A,B,C,D

  • 第14题：

    一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。

    • A、二极管
    • B、负载电容
    • C、负载电感
    • D、有源负载

    正确答案:D

  • 第15题：

    在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）


    正确答案:错误

  • 第16题：

    所谓集成电路，指的是在半导体单晶片上制造出含有大量电子元件和连线的微型化的电子电路或系统。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

    • A、晶圆顶层的保护层
    • B、多层金属的介质层
    • C、多晶硅与金属之间的绝缘层
    • D、掺杂阻挡层
    • E、晶圆片上器件之间的隔离

    正确答案:B,C,E

  • 第18题：

    根据一次接线方式的不同，电容器通常采用内部熔丝或外部熔断器来保护。电容器在运行过程中应注意其操作顺序、运行参数等。低压电容器内部元件一般采用（）保护。

    • A、熔断器
    • B、熔丝
    • C、电压纵差
    • D、中性点不平衡电流

    正确答案:B

  • 第19题：

    容量在30kvar以下的柱上电力电容器一般采用跌落式熔断器保护。熔丝元件一般按电力电容器额定电流的2～3倍选择。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    判断题
    所谓集成电路，指的是在半导体单晶片上制造出含有大量电子元件和连线的电子电路。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    集成电路的主要制造流程是（）
    A

    硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试

    B

    硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路

    C

    晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路

    D

    硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    《压力管道元件制造许可规则》规定，制造厂在取得（）后才可以从事制造活动。
    A

    注册

    B

    特种设备制造许可证

    C

    工业产品许可证


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。

    正确答案： 100,110,111
    解析： 暂无解析

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