可用于2~10mm薄壁管透照的一种γ射线新源是(),其半衰期为()天,射线输出为()mR/h·ci。
第1题:
衰变常数为0.021/年的γ射线源,其半衰期为(),此射线源为()源。
第2题:
下列四种放射性同位素中,可用来透照厚度为3-12mm的薄壁管,辐射特性类似100-250KVX射线的是()
第3题:
小径管射线照相采用垂直透照法比倾斜透照法更有利于检出根部未熔合。
第4题:
192Ir源的半衰期为75天,在某时间对某物体透照时的最佳曝光时间为40分钟,经过5个月后,用该源对同一物体透照时,为得到同样黑度的射线底片,应选用的曝光时间为()
第5题:
下列四种放射性同位素中,可用来透照厚度为2~10mm的薄壁管,辐射特性类似于150~250KVX射线的是()
第6题:
能量为2 MeV的γ射线源,经过三个半衰期后,其γ射线能量为1MeV。
第7题:
对小口径薄壁管采用双壁透照双面成像时,有效透照长度与焦距成正比。
第8题:
使用衬度较低的射线胶片,必要时采用单面乳剂胶片,()。
第9题:
第10题:
第11题:
第12题:
Ir192
Cs137
Co60
Tm17
第13题:
铱192的半衰期为75天,用该新源透照工件最佳的曝光时间为10分钟,225天后重照同样的工件(),则需曝光()分钟。
第14题:
用200KV,5mA X射线机180kV管电压透照Φ51×3.5mm的管子环焊缝,已知焊缝宽度b=10mm。若透照距离L1=800mm,则此时Ug为Ui的几倍?
第15题:
用半衰期为75天的Ir192源在某时间对某个工件透照时的暴光时间围40分钟;5个月后,用该源对同一工件透照,为得到同样的黑度的射线底片,暴光时间应为:()
第16题:
用X射线透照小径管,DL/T821-2002允许的黑度范围为(),JB/T4730、2-2005允许的黑度范围为()。
第17题:
在X射线透照时,选用管电流为5毫安,曝光时间为5分钟,其曝光量为多少?
第18题:
对小口径薄壁管采用双壁透照双面成像时,()与焦距基本无关。
第19题:
对小口径薄壁管采用双壁透照双面成像时,有效透照长度与()基本无关。
第20题:
192Ir
137Cs
60Co
169Yb
第21题:
不变
约延长10%
约延长30%
约延长60-100%
第22题:
1MeV
0.5MeV
0.25MeV
2MeV
第23题: