在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

题目

在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。

  • A、稳定区
  • B、第一介稳区
  • C、第二介稳区
  • D、不稳定区
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1.关于过饱和现象,以下说法正确的是()A、由于过饱和超出了溶解度，不可能长期稳定存在B、药物浓度达到过饱和，药物定会成核结晶析出C、过饱和现象有可能维持很长时间D、过饱和只是一种假设情况

2.在外加晶种的结晶过程中,搅拌以及过饱和度控制不当易产生成核。()此题为判断题(对，错)。

3.碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时，由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要（），因此所得成品粒度会（）。A、快，大B、快，小C、慢，大D、慢，小

4.在冷却结晶中,随着规模的放大,结晶釜制冷能力降低,冷却时间延长,这种情况下,由于过饱和度不高,不会发生成核。()此题为判断题(对，错)。

更多“在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长”相关问题

  • 第1题：

    下列选项中，不会影响成核速率的的是（）。

    • A、温度
    • B、杂
    • C、压力
    • D、过饱和度

    正确答案:C

  • 第2题：

    加晶种控制结晶，使溶液的过饱和度控制在介稳区中，不会出现（）现象

    • A、初级成核
    • B、次级成核
    • C、均相成核
    • D、非均相成核

    正确答案:A

  • 第3题：

    当通过汽化移去溶液时，蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高，必须补充含颗粒的（），使升高的过饱和度尽快消失。

    • A、晶种
    • B、晶核
    • C、晶体
    • D、晶浆

    正确答案:D

  • 第4题：

    在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。

    • A、稳定区
    • B、第一介稳区
    • C、第二介稳区
    • D、不稳定区

    正确答案:D

  • 第5题：

    根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。

    • A、不影响结晶密度（质量）
    • B、结晶成核速率
    • C、结晶生长速率
    • D、不易产生晶垢

    正确答案:A,D

  • 第6题：

    在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。


    正确答案:新晶核；晶种

  • 第7题：

    均相成核作用是指够晶离子在过饱和溶液中，自发形成晶核的过程。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    填空题
    在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。

    正确答案： 新晶核,晶种
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。
    A

    稳定区

    B

    第一介稳区

    C

    第二介稳区

    D

    不稳定区


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    结晶初级成核速度N＝Ae－△Gmax/（RT），△Gmax＝16πV2mσ3/3（RTlnα）2，从公式可得到（）。
    A

    在温度不变的情况下，饱和溶液不能自动成核

    B

    过饱和度越高，成核中速度越高

    C

    温度越高，成核速度也越高

    D

    成核速度受温度和过饱和度综合影响


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    在结晶过程中，为了控制药物的晶型，常采用的结晶机制是（）
    A

    初级成核

    B

    次级成核

    C

    冷却结晶

    D

    加入晶核生长结晶


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。
    A

    稳定区

    B

    第一介稳区

    C

    第二介稳区

    D

    不稳定区


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。

    • A、不影响结晶密度（质量）
    • B、结晶成核速率
    • C、结晶生长速率
    • D、不易产生晶垢

    正确答案:A,D

  • 第14题：

    在结晶操作中，下列措施有利于晶体颗粒大而少的产品的是（）。

    • A、增大过饱和度
    • B、迅速降温
    • C、强烈搅拌
    • D、加入少量晶种

    正确答案:D

  • 第15题：

    在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。

    • A、稳定区
    • B、第一介稳区
    • C、第二介稳区
    • D、不稳定区

    正确答案:D

  • 第16题：

    在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。

    • A、稳定区
    • B、第一介稳区
    • C、第二介稳区
    • D、不稳定区

    正确答案:C

  • 第17题：

    在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。

    • A、稳定区
    • B、第一介稳区
    • C、第二介稳区
    • D、不稳定区

    正确答案:C

  • 第18题：

    结晶初级成核速度N＝Ae－△Gmax/（RT），△Gmax＝16πV2mσ3/3（RTlnα）2，从公式可得到（）。

    • A、在温度不变的情况下，饱和溶液不能自动成核
    • B、过饱和度越高，成核中速度越高
    • C、温度越高，成核速度也越高
    • D、成核速度受温度和过饱和度综合影响

    正确答案:A,D

  • 第19题：

    单选题
    在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。
    A

    稳定区

    B

    第一介稳区

    C

    第二介稳区

    D

    不稳定区


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。
    A

    稳定区

    B

    第一介稳区

    C

    第二介稳区

    D

    不稳定区


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    多选题
    根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。
    A

    不影响结晶密度（质量）

    B

    结晶成核速率

    C

    结晶生长速率

    D

    不易产生晶垢


    正确答案： C,D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。
    A

    稳定区

    B

    第一介稳区

    C

    第二介稳区

    D

    不稳定区


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。
    A

    不影响结晶密度（质量）

    B

    结晶成核速率

    C

    结晶生长速率

    D

    不易产生晶垢


    正确答案： A,C
    解析： 暂无解析

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