Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。

NAND Flash的读取速度比NOR Flash稍慢一些，其随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。

本题考查嵌入式系统存储器方面的基础知识。在嵌入式系统设计中，一般包含多种类型的存储资源，比如ROM、EEPROM、NAND Flash、Nor Flash、DDR、SD卡等。ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。EPROM、EEPROM、Flash ROM（NOR Flash和NAND Flash），性能同ROM，EEPROM被称为电擦除的ROM。NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放量大的数据。由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM—样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行（XI P,eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。但是NAND上面的代码不能直接运行。从使用角度来看，NOR闪存与NAND闪存是各有特点的：（1）NOR的存储密度低，所以存储一个字节的成本也较高，而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高；（2）NAND闪存在擦、写文件（特别是连续的大文件）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度很快，在随机存取的应用中有良好的表现。RAM（random access memory，随机存储器）的内容可按需随意取出或存入，且存取速度与存储单元的位置无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序和数据。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对地，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。