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  • 第1题:

    CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:正确

  • 第2题:

    CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。()

    此题为判断题(对,错)。


    参考答案:错误

  • 第3题:

    双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。


    正确答案:正确

  • 第4题:

    结型场效应管的类型有()。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题:

    在检测MOS场效应管时,应注意防止人体感应电压击穿元件。


    正确答案:正确

  • 第6题:

    MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻()。


    正确答案:大得多

  • 第7题:

    MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻()得多。


    正确答案:

  • 第8题:

    UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第9题:

    MOS场效应管的输入电流为()。


    正确答案:0

  • 第10题:

    更具结构不同,场效应管分为()

    • A、N沟道和P沟道场效应管
    • B、NPN和PNP型场效应
    • C、MOS管和MNS管
    • D、结构和绝缘栅场效应管

    正确答案:D

  • 第11题:

    CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。


    正确答案:错误

  • 第12题:

    判断题
    CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案:AB

  • 第14题:

    STS是英语SILENCE TWENTY SECONDS的缩写。


    正确答案:错误

  • 第15题:

    C.NG是()的英语缩写。


    正确答案:压缩天然气

  • 第16题:

    场效应管的类型有()。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题:

    UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第18题:

    MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和()两种类型。


    正确答案:耗尽型

  • 第19题:

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第20题:

    某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第21题:

    MOS场效应管按导电沟道划分为N和()两大类。


    正确答案:P

  • 第22题:

    MOS场效应管的英语缩写是()。

    • A、“IGBT”
    • B、“BJT”
    • C、“GTO”
    • D、“MOSFET”

    正确答案:D

  • 第23题:

    开关量的信号隔离,主要采用哪种方式()。

    • A、三极管方式
    • B、MOS场效应管
    • C、光电耦合
    • D、A、B、C、均不对

    正确答案:C

  • 第24题:

    单选题
    MOS场效应管的英语缩写是()。
    A

    “IGBT”

    B

    “BJT”

    C

    “GTO”

    D

    “MOSFET”


    正确答案: C
    解析: 暂无解析