“IGBT”
“BJT”
“GTO”
“MOSFET”
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
此题为判断题(对,错)。
第3题:
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。
第4题:
结型场效应管的类型有()。
第5题:
在检测MOS场效应管时,应注意防止人体感应电压击穿元件。
第6题:
MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻()。
第7题:
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻()得多。
第8题:
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。
第9题:
MOS场效应管的输入电流为()。
第10题:
更具结构不同,场效应管分为()
第11题:
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
第12题:
对
错
第13题:
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第14题:
STS是英语SILENCE TWENTY SECONDS的缩写。
第15题:
C.NG是()的英语缩写。
第16题:
场效应管的类型有()。
第17题:
UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。
第18题:
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和()两种类型。
第19题:
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
第20题:
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()
第21题:
MOS场效应管按导电沟道划分为N和()两大类。
第22题:
MOS场效应管的英语缩写是()。
第23题:
开关量的信号隔离,主要采用哪种方式()。
第24题:
“IGBT”
“BJT”
“GTO”
“MOSFET”