巴黎系统规定,单平面插植最多使用9根放射源,三角形双平面插植最多也使用9根放射源,而正方形排列为()根放射源。
第1题:
巴黎系统的插植基本原则不包括()
第2题:
上颌窦癌最合理的放疗技术是()。
第3题:
关于巴黎系统的插植基本规则,描述错误的是()
第4题:
曼彻斯特系统是以()直线源设计的平面插植剂量计算系统。
第5题:
对组织间照射的巴黎系统单平面插植时放射源特点描述,不符合的是()。
第6题:
当使用圆弧插补指令时,与平面的选择无关。
第7题:
舌活动部早期鳞癌组织间插植的设置()
第8题:
曼切斯特系统
巴黎系统
纽约系统
第9题:
10%
15%
20%
25%
30%
第10题:
植入的放射源必须是直线型
植入的放射源彼此互相平行
各线源等分中心位于同一平面
各源相互等间距
排列必须是等边三角形
第11题:
于瘤体中央置一施源器即可
正方形排列
按靶区范围采用巴黎系统布源
沿瘤体周边等距离间隔布源
单平面布源
第12题:
相互平行
按强度大小线性排列
长度相等
距离相等
源中心在同一平面
第13题:
曼彻斯特系统规定,当治疗厚度大于()时,需要用双平面插植。
第14题:
传统的组织间插植治疗剂量学系统是指()。
第15题:
永久性插植治疗,确定累积剂量(放射源完全衰变)的两个参数是()
第16题:
曼彻斯特系统的单平面插植,规定距辐射平面()为参考剂量平面。
第17题:
在数控系统中使用最多的插补方法是逐点比较法。
第18题:
宫颈癌组织间插植的优点是()
第19题:
组织间插植巴黎系统中线源活性长度()
第20题:
高能X线多野照射
高能X线加组织间插植
高能电子线
组织间插植
高能电子线加组织间插植
第21题:
定义85%的基准剂量为参考剂量
定义90%的基准剂量为参考剂量
以平均中心剂量为基准剂量
以中心平面各放射源之间的中心点剂量的平均值为基准剂量
基准剂量点在三角形和正方形插值平面的几何中心
第22题:
10%
15%
20%
25%
30%
第23题:
局部肿块消除快
止血效果显著
根据肿瘤形状调整插植排列
操作简便、无需麻醉
以上各项