功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

题目

功率场效应晶体管一般为()。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、P沟道增强型

相似考题

1.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

2.结型场效应管的类型有()。A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

3.在MOSFET放大电路中，当vGS为正值时， 电路不可能正常放大。A．N沟道增强型MOSFETB．N沟道耗尽型MOSFETC．P沟道增强型MOSFETD．P沟道耗尽型MOSFET

4.功率场效应晶体管一般为()。A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

参考答案和解析
正确答案:B
更多“功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型 ”相关问题

  • 第1题：

    当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

    A．N沟道耗尽型

    B．N沟道增强型

    C．P沟道耗尽型

    D．P沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第2题：

    8、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

    A．N沟道耗尽型

    B．N沟道增强型

    C．P沟道耗尽型

    D．P沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第3题：

    6、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

    A．N沟道耗尽型

    B．N沟道增强型

    C．P沟道耗尽型

    D．P沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第4题：

    11、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流

    A．P沟道耗尽型

    B．P沟道增强型

    C．N沟道耗尽型

    D．N沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第5题：

    1、MOSFET有N沟道和P沟道两种，下面说法错误的是（）。

    A．N沟道中载流子是电子

    B．P沟道中载流子是空穴

    C．N沟道有增强型和耗尽型

    D．P沟道只有耗尽型


    P沟道只有耗尽型

相关内容