动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。A.集中刷新 B.分散刷新 C.同步刷新 D.异步式刷新

题目
动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。

A.集中刷新
B.分散刷新
C.同步刷新
D.异步式刷新
相似考题

1.下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C． DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新

2.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

3.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

4.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

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  • 第1题：

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

  • 第2题：

    动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，其特点是(4)。

    A．容量大

    B．速度快

    C．需要定期刷新

    D．价格低


    正确答案：C
    解析：动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，其特点是速度慢、容量大、价格低、需要定期刷新。一般用动态存储器件(DRAM)制作RAM，用静态存储器件(DRAM)制作cache。

  • 第3题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第4题：

    以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（ ）。

    A.SRAM的内容是不变的，DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的，DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的，但DRAM的内容需要定期刷新


    正确答案：D

  • 第5题：

    下面关于DRAM存储器描述错误的是（）

    • A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新
    • B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点
    • C、DRAM存储器属于非易失的存储器
    • D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

    正确答案:C

  • 第6题：

    静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？


    正确答案: 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
    动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
    由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
    动态存储器的刷新方式通常有：
    集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。

  • 第7题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第8题：

    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。

    • A、按位结构方式存储
    • B、按字结构方式存储
    • C、信息在存储介质中移动
    • D、每隔一定时间进行一次刷新

    正确答案:D

  • 第9题：

    动态随机存储器DRAM利用电容器的（）来存储信息，这种过程叫（）；而静态存储器SRAM则无须动态刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。


    正确答案:充放电；刷新

  • 第10题：

    单选题
    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。
    A

    按位结构方式存储

    B

    按字结构方式存储

    C

    信息在存储介质中移动

    D

    每隔一定时间进行一次刷新


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？

    正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？

    正确答案： DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第14题：

    动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，不属于其特点是(23)。

    A．价格低

    B．速度快

    C．容量大

    D．需要定期刷新


    正确答案：B
    解析：动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，其特点是速度慢、容量大、价格低、需要定期刷新。一般用动态存储器件(DRAM)制作RAM，用静态存储器件(SRAM)制作cache。

  • 第15题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D

  • 第16题：

    下列关于DRAM的叙述，正确的是

    A.DRAM是一种随机存储器

    B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.DRAM是一种半导体存储器

    E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABCD

  • 第17题：

    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？


    正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。

  • 第18题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第19题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第20题：

    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？


    正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第21题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    DRAM是动态随机存储器的缩写，它以无源元件存放数据，需要周期性地刷新来保持数据。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    动态随机存储器DRAM利用电容器的（）来存储信息，这种过程叫（）；而静态存储器SRAM则无须动态刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。

    正确答案： 充放电,刷新
    解析： 暂无解析

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