二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结

题目
二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。

A、穿过两个PN结

B、穿过一个PN结

C、不穿过PN结

D、穿过三个PN结

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1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.28、场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。

3.8、IGBT的饱和工作原理是（）。A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。

4.场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

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  • 第1题：

    场效应管利用外加电压产生的（）来红纸漏极电流大小的 A: 电流 B: 电场 C: 电压


    电场

  • 第2题：

    1、有关场效应管，以下说法错误的是（）

    A．场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电

    B．在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制

    C．在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系

    D．发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小


    发生预夹断 后 ，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小

  • 第3题：

    PMOS管的电流方向是从漏极到源极，NMOS管的电流方向是从源极到漏极。


    正确

  • 第4题：

    场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。


    D

  • 第5题：

    下列关于光敏二极管和光敏晶体管的对比不正确的是 （)。

    A．光敏二极管的线性特性较差,而光敏晶体管有很好的线性特性

    B．光敏二极管的光电流很小,光敏晶体管的光电流则较大

    C．光敏二极管与光敏晶体管的暗电流相差不大

    D．工作频率较高时,应选用光敏二极管;工作频率较低时,应选用光敏晶体管


    光敏二极管的线性特性较差，而光敏晶体管有很好的线性特性

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