常规自动曝光摄影用的探测器为A．硒晶硅B．电离室式C．光电计式D．多丝正比室E．闪烁晶体

题目

常规自动曝光摄影用的探测器为

A．硒晶硅

B．电离室式

C．光电计式

D．多丝正比室

E．闪烁晶体

相似考题

1.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

2.关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

3.常规自动曝光摄影用的探测器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体利用电容充放电原理工作的限时器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体常规自动曝光摄影用的探测器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体利用电容充放电原理工作的限时器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！

4.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

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  • 第1题：

    关于DR探测器的类型，错误的是

    A．非晶硒平板型探测器

    B．非晶硅平板型探测器

    C．碘化铯平板型探测器

    D．多丝正比室扫描DR

    E．CCD摄像机型DR


    正确答案：B

  • 第2题：

    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

    A.砸鼓检测器

    B.IP成像转换器

    C.直接转换平板探测器

    D.间接转换平板探测器

    E.多丝正比室检测器


    正确答案：C

  • 第3题：

    利用电容充放电原理工作的限时器是

    A.机械式

    B.电子式

    C.数字式

    D.电离室式

    E.闪烁晶体


    正确答案：B

  • 第4题：

    属于DR成像间接转换方式的部件是

    A．增感屏

    B．非晶硒平板探测器

    C．碘化铯+非晶硅探测器

    D．半导体狭缝线阵探测器

    E．多丝正比电离室


    正确答案：C

  • 第5题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是

    A．闪烁体+CCD摄像机阵列

    B．非晶硒平板探测器

    C．碘化铯+非晶硅探测器

    D．半导体狭缝线阵探测器

    E．多丝正比电离室


    正确答案：B

  • 第6题：

    多丝正比电离室探测器是

    A.间接探测器
    B.直接探测器
    C.动态探测器
    D.平板探测器
    E.模拟探测器

    答案：B
    解析：

  • 第7题：

    利用碘化铯闪烁体和非晶硅作为探测元的检测器是

    A.硒鼓检测器
    B.间接转化平板探测器
    C.直接转化平板探测器
    D.IP成像转化器
    E.多丝正比室检测器

    答案：B
    解析：

  • 第8题：

    属于DR成像间接转换方式的部件是（）

    • A、增感屏
    • B、非晶硒平板探测器
    • C、碘化铯+非晶硅探测器
    • D、半导体狭缝线阵探测器
    • E、多丝正比电离室

    正确答案:C

  • 第9题：

    常规自动曝光摄影用的探测器是（）

    • A、机械式
    • B、电子式
    • C、数字式
    • D、电离室式
    • E、闪烁晶体

    正确答案:D

  • 第10题：

    多选题
    DR成像设备类型包括（）。
    A

    非晶硒平板型探测器

    B

    非晶硅平板探测器型

    C

    IP成像方式

    D

    多丝正比室扫描投影DR

    E

    CCD摄像机型DR


    正确答案： D,A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    目前最常用的DR系统为（　　）。
    A

    CsI＋CCD阵列

    B

    非晶硅平板探测器

    C

    非晶硒平板探测器

    D

    多丝正比电离室

    E

    计算机X线摄影


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    配伍题
    利用电容充放电原理工作的限时器是（）|常规自动曝光摄影用的探测器是（）
    A

    机械式

    B

    电子式

    C

    数字式

    D

    电离室式

    E

    闪烁晶体


    正确答案： D,B
    解析： 自动曝光时用的探测器有荧光体探测器和电离室探测器，普通曝光限时器的种类有机械式、电子式、数字式等三种，而电子式限时器主要利用电容充放电原理来工作。

  • 第13题：

    目前最常用的DR系统为

    A.CsI+CCD阵列

    B.非晶硅平板探测器

    C.非晶硒平板探测器

    D.多丝正比电离室

    E.计算机X线摄影


    正确答案：B

  • 第14题：

    常规自动曝光摄影用的探测器是

    A.机械式

    B.电子式

    C.数字式

    D.电离室式

    E.闪烁晶体


    正确答案：D

  • 第15题：

    非晶硅平板

    A．直接转换

    B．间接转换

    C．光电转换

    D．电光转换

    E．闪烁晶体


    正确答案：B

  • 第16题：

    自动曝光控制系统，探测器的种类有

    A．金属探测器、液体探测器

    B．液体探测器

    C．荧光体探测器、电离室探测器

    D．液体探测器、晶体探测器

    E．晶体探测器、金属探测器


    正确答案：C

  • 第17题：

    数字X线摄影(DR)不包括

    A.直接转换平板探测器

    B.间接转换平板探测器

    C.多丝正比室探测器

    D.闪烁体+CCD摄像机阵列

    E.线扫描计算机X线摄影


    正确答案：E

  • 第18题：

    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

    A.IP成像转换器
    B.直接转换平板探测器
    C.间接转换平板探测器
    D.硒鼓检测器
    E.多丝正比室检测器

    答案：B
    解析：

  • 第19题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是（）

    • A、闪烁体+CCD摄像机阵列
    • B、非晶硒平板探测器
    • C、碘化铯+非晶硅探测器
    • D、半导体狭缝线阵探测器
    • E、多丝正比电离室

    正确答案:B

  • 第20题：

    DR成像设备类型包括（）。

    • A、非晶硒平板型探测器
    • B、非晶硅平板探测器型
    • C、IP成像方式
    • D、多丝正比室扫描投影DR
    • E、CCD摄像机型DR

    正确答案:A,B,D,E

  • 第21题：

    单选题
    常规自动曝光摄影用的探测器是（）
    A

    机械式

    B

    电子式

    C

    数字式

    D

    电离室式

    E

    闪烁晶体


    正确答案： B
    解析： 自动曝光时用的探测器有荧光体探测器和电离室探测器，普通曝光限时器的种类有机械式、电子式、数字式等三种，而电子式限时器主要利用电容充放电原理来工作。

  • 第22题：

    单选题
    属于DR成像直接转换方式的部件是（）
    A

    闪烁体+CCD摄像机阵列

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    碘化铯+非晶硅探测器

    D

    半导体狭缝线阵探测器

    E

    多丝正比电离室


    正确答案： C
    解析： DR成像直接转换方式的部件为非晶硒平板探测器，X线光子可直接转换为电信号。

  • 第23题：

    单选题
    属于DR成像间接转换方式的部件是（）
    A

    增感屏

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    多丝正比电离室

    D

    碘化色+非晶硅探测器

    E

    半导体狭缝线阵探测器


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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