什么是二极管伏安特性曲线上的死区电压?

题目

什么是二极管伏安特性曲线上的死区电压?

相似考题

1.二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压小于PN结的死区电压 。 ()此题为判断题(对，错)。

2.加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管();加反向电压时,()截止 。

3.半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。

4.二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。A、击穿电压B、死区C、饱和D、夹断电压

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  • 第1题：

    一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错

  • 第2题：

    二极管伏安特性曲线上有一个死区电压，什么是死区电压?


    正确答案：当外加电压很低时，由于外加电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，使正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定值后，内电场被大大削弱，电流增加很快，这一定数值的电压称为死区电压。

  • 第3题：

    要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

    A对

    B错


    对
    略

  • 第4题：

    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

  • 第5题：

    锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V


    正确答案:0.2；0.3

  • 第6题：

    二极管正向导通的条件是（）。

    • A、正极电压高于负极电压，且其差值大于“死区电压”
    • B、正极电压小于负极电压
    • C、正极电压高于负极电压，且其差值小于“死区电压”
    • D、正极电压等于负极电压

    正确答案:A

  • 第7题：

    要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

  • 第9题：

    二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）

    • A、正向电压大于PN结的死区电压
    • B、正向电压等于零
    • C、必须加反向电压

    正确答案:A

  • 第10题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第11题：

    当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。


    正确答案:错误

  • 第12题：

    问答题
    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

    正确答案： 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二级管的伏安特性曲线就是加到二极管两端的电压和()之间的关系曲线。


    参考答案：通过二极管的电流

  • 第14题：

    反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。

    A对

    B错


    对
    略

  • 第15题：

    硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和（）。


    正确答案:反向特性曲线之分

  • 第17题：

    下面关于二极管伏安特性的正确叙述是（）。

    • A、二极管伏安特性曲线描绘出了电压与时间的关系
    • B、二极管伏安特性曲线描绘出了电流与时间的关系
    • C、二极管伏安特性曲线描绘出了电流与电压的关系

    正确答案:C

  • 第18题：

    反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    什么是二极管的伏安特性曲线？


    正确答案: 二极管的伏安特性曲线就是加到二极管两端的电压和通过二极管的电流之间的关系曲线。

  • 第20题：

    什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？


    正确答案:当加在二极管上的正向电压小于某一数值时，二极管电流非常小，只有当正向电压大于该数值后，电流随所加电压的增大而迅速增大，该电压称为二极管的死区电压，它是由二极管中PN的内电场引起的。硅管和锗管的死区电压的典型值分别是0.7V和0.3V。

  • 第21题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第22题：

    从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。

    • A、0
    • B、死区电压
    • C、反向击穿电压
    • D、正向压降

    正确答案:B

  • 第23题：

    硅材料二极管的死区电压为0.3V。


    正确答案:正确

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