测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。A．饱和B．截止C．可变电阻D．无法判断

题目

测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。

A．饱和

B．截止

C．可变电阻

D．无法判断

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取( )V。A、0-5B、5-10C、10-15D、15-20

3.场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

4.某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V

更多“测得某MOSFET的漏源电压，栅源电压值以及阈值电压：VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V，试判断该管子工作在 区。”相关问题

  • 第1题：

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第2题：

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案：B

  • 第3题：

    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

    • A、正极性
    • B、负极性
    • C、零
    • D、不能确定

    正确答案:A

  • 第4题：

    使用功率MOSFET时要注意（）。

    • A、防止静电击穿
    • B、防止二次击穿
    • C、MOSFET不能承受反压
    • D、栅源过电压保护

    正确答案:A,C,D

  • 第5题：

    测量某放大电路负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ的负载后，测得输出电压为1V，则该放大电路的输出电阻为（）kΩ。

    • A、0.5
    • B、1.0
    • C、2.0
    • D、4

    正确答案:D

  • 第6题：

    场效应管是通过（）改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第7题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第8题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第9题：

    利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。


    正确答案:正确

  • 第10题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    零

    D

    不能确定


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第14题：

    某被检电压表的示值为300V时，用标准电压表测得其电压的实际值为298V，则被检电压表的示值误差为（ ）。[2007年真题]

    A. -2V B. +2V C. ±2V D.


    答案：B
    解析：
    测量仪器的示值误差是测量仪器示值与对应的输入量的真值之差，它是测量仪器最主要的计量特性之一。题中被检电压表的示值误差△ =300-298 =2V。

  • 第15题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。


    正确答案:0

  • 第17题：

    功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。

    • A、驱动信号的前后沿陡峭
    • B、驱动信号的电压应高于开启电压
    • C、信号电压应低于栅源击穿电压
    • D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压

    正确答案:A,B,C,D

  • 第18题：

    N沟道JFET的跨导gm是（）

    • A、一个固定值
    • B、随电源电压VDD增加而加大
    • C、随静态栅源电压VGS增加而加大
    • D、随静态栅源电压VGS增加而减小

    正确答案:C

  • 第19题：

    场效应管在恒流区，iD主要由栅源电压uGS决定。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    测量某放大电路负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ的负载后，测得输出电压为1V，则该放大电路的输出电阻是（）

    • A、0.5k
    • B、1.0k
    • C、2.0k
    • D、4k

    正确答案:D

  • 第21题：

    问答题
    什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？

    正确答案： 阈值电压Vt是使半导体表面达到强反型所需加的栅极电压。它受衬底掺杂浓度、体效应、半导体材料的费米势等的影响。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

    正确答案： 大,衬底,严重
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。

    正确答案： 载流子浓度,厚度,固定电荷密度,可动电荷密度,界面态密度,越高,越高
    解析： 暂无解析

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