增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。
第1题:
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第2题:
增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?
因为增强型MOS管要靠外加栅压才能形成导电通道,所以不适用于自给栅偏压电路形式。
略
第3题:
稳压管在稳压电路中,必须工作在()
第4题:
三极管作为开关时工作区域是()
第5题:
晶体三极管在电路中用作“开关”时,不能工作在()。
第6题:
三极管作放大管时一般工作在()。
第7题:
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。
第8题:
当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。
第9题:
场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。
第10题:
EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。
第11题:
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。
第12题:
正极性
负极性
零
不能确定
第13题:
此题为判断题(对,错)。
第14题:
N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
第15题:
集成运放工作在非线形区时,若同相端输入电压大于反相端输入电压,输出电压为()。
第16题:
场效应管的类型有()。
第17题:
UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。
第18题:
耗尽型MOS管工作在放大状态时,其栅压可正可负。
第19题:
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()
第20题:
场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。
第21题:
当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。
第22题:
CMOS反相器基本电路包括()
第23题:
对
错
第24题:
增大
减小
不变
先减小后增大