要使增强型N沟道MOS管工作在放大状态，其UGS应该小于零。（）

第1题：

第2题：

某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

• A、耗尽型管
• B、增强型管
• C、绝缘栅型
• D、无法确定

正确答案:A

第3题：

单极型集成电路不包含（）.

• A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
• B、P沟道MOS管
• C、N沟道MOS管
• D、互补型MOS（即CMOS）

正确答案:A

第4题：

对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小

正确答案:错误

第5题：

场效应管的类型有（）。

• A、结型场效应管
• B、绝缘栅型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第6题：

U_GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

• A、N沟道结型管
• B、增强型MOS管
• C、耗尽型MOS管
• D、P沟道结型管

正确答案:B

第7题：

结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。

正确答案:正确

第8题：

MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。

正确答案:耗尽型

第9题：

使结型场效应管I_D=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的U_GS（off）（）0，P沟道JFET的U_GS（off）（）0。

正确答案:＜；＞

第10题：

某场效应管的I_DSS为6mA，而I_DQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

• A、P沟道耗尽型MOS管
• B、N沟道耗尽型MOS管
• C、P沟道增强型MOS管
• D、N沟道增强型MOS管

正确答案:B

第11题：

若耗尽型N沟道MOS管的ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。

正确答案:错误

第12题：

CMOS反相器基本电路包括（）

• A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
• B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
• C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
• D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

正确答案:A

第13题：

第14题：

结型场效应管可分为（）。

• A、MOS管和MNS管
• B、N沟道和P沟道
• C、增强型和耗尽型
• D、NPN型和PNP型

正确答案:B

第15题：

增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。

正确答案:错误

第16题：

结型场效应管的类型有（）。

• A、N沟道结型场效应管
• B、P沟道结型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第17题：

MOS种类分为？（）

• A、P沟道场管
• B、Q沟道场管
• C、D沟道场管
• D、N沟道场管

正确答案:A,D

第18题：

N沟道MOS管，V_GS越向正值方向增大，I_D越（）

正确答案:大

第19题：

对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。

正确答案:为正；大于开启电压

第20题：

衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

正确答案:错误

第21题：

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

• A、结型管  
• B、增强型MOS管  
• C、耗尽型MOS管

正确答案:A

第22题：

双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。

正确答案:发射结正偏；集电结反偏，V_DS＞V_GS=V_GS（th），V＞V_GS（th）

第23题：

当U_GS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

• A、JFET
• B、增强型MOS管
• C、耗尽型MOS管
• D、NMOS管

正确答案:B

第24题：