有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

第1题：

有一64K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5us。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

第2题：

有一16K × 16位的存储器，用4K × 1位的DRAM芯片构成（内部结构64× 64）。读写周期为0.5ms。问： （1）总共需要多少DRAM芯片？ （2）如采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？（3）如采用集中刷新方式，对全部存储单元刷新一遍，最少需要多少读/写周期？死区率是多少？

第3题：

某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次，且刷新是通过顺序对所有256行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns，求其刷新的开销（即进行刷新操作的时间所占的百分比）是（）

A．3.2%

B．6.4%

C．12.8%

D．25.6%

第4题：

某机器的主存共32KB，由16片16K x 1位（内部采用128x128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个刷新操作周期

A．128

B．256

C．1024

D．16384

第5题：

48、有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的动态RAM芯片构成（芯片内是64×64结构），问：采用异步方式，如单元刷新间隔不超过2 ms，则刷新信号周期是多少ms？（填数字，小数点后取3位）