真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括( )。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间在烤瓷过程中有一道

题目

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括( )。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是( )。A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是( )。A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

相似考题

1.真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

2.在全部温度范围内，烤瓷和烤瓷合金的温度膨胀系数之差必须在( )。A、0.01%以内B、5%以内C、0.1%以内D、1%以内E、0.001%以内

3.炉内环境温度越高,煤的预热时间越长。()

4.新启用的烤瓷炉使用前正确的操作是A、将烤瓷件预热B、按炉膛升降键C、抽真空D、将烤瓷件升温E、根据不同的烤瓷材料进行程序设定

更多“真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括( )。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间在烤瓷过程中有一道”相关问题

  • 第1题：

    技师制作的金属烤瓷桥烧结完成后发现瓷表面出现龟裂现象，其原因是

    A．烧结温度过低

    B．烧结温度过高

    C．干燥、预热时间过长，瓷粉过度失水

    D．堆筑牙冠时瓷泥过稠

    E．真空度不够


    正确答案：D

  • 第2题：

    真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

    B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃

    B、21～30℃

    C、10℃以内

    D、11～20℃

    E、5℃

    在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

    B、烤瓷失败，烤瓷件报废

    C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

    D、炉膛报废

    E、发热体损坏

    请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！


    问题 1 答案解析：D


    问题 2 答案解析：C


    问题 3 答案解析：C

  • 第3题：

    烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好，但出现凹凸不平的现象，其可能原因为

    A、烤瓷炉内污染

    B、真空不好或没抽真空

    C、瓷粉内粗细粒度比例不协调

    D、未达到烧烤软化温度和时间

    E、不透明瓷层太薄


    参考答案：C

  • 第4题：

    某技师将瓷层已堆筑完成的PFM冠送入烤瓷炉中进行烧结，程序完成后发现冠表面所有体瓷全部爆裂，其原因可能是（）。

    • A、干燥、预热时间太长，瓷粉失水
    • B、未干燥、预热直接升温
    • C、烤瓷炉真空度过高
    • D、烧结温度过高
    • E、升温速率过低

    正确答案:B

  • 第5题：

    编制焊接工艺规程时，对焊前需要预热的焊件，在工艺规程中应注明（）

    • A、预热的温度范围
    • B、预热最高温度
    • C、预热最低温度
    • D、加热时间

    正确答案:A

  • 第6题：

    严格控制互感器的真空干燥处理，器身干燥处理三要素是指（）。

    • A、真空度、温度、时间
    • B、湿度、压力、温度
    • C、绝缘、介质、温度
    • D、真空度、压力、时间

    正确答案:A

  • 第7题：

    在转子进行预热工作时，真空应大于（）kPa，逐步开尾部加热门，控制升温率在（）℃／h。当高压缸金属温度加热到（）℃以上，维持压力在（）kPa，按曲线要求维持预热时间。


    正确答案:68；55；150；470.4～568.4

  • 第8题：

    单选题
    低温蒸汽消毒法消毒所需的时间是（）。
    A

    温度73℃～80℃持续时间10～15分钟

    B

    温度20℃～40℃持续时间40～50分钟

    C

    温度100℃持续时间15～30分钟

    D

    温度60℃～80℃持续时间30～60分钟

    E

    温度50℃～60℃持续时间20～30分钟


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（　　）。
    A

    预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

    B

    预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    C

    现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    D

    现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    E

    现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间


    正确答案： E
    解析：
    单片机控制的烤瓷炉均设有显示窗、键盘及功能接口，显示窗包括程序显示、温度显示、时间显示、真空显示和故障显示。主要显示现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间及程序内各顺序的经过时间。

  • 第10题：

    单选题
    烤瓷用合金的熔化温度至少应高于烤瓷温度（）
    A

    100℃

    B

    200℃

    C

    300℃

    D

    50℃


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    患者，男性，38岁，因死髓牙变色要求烤瓷冠修复 。 除气时温度应为（）
    A

    高于烤瓷时温度10℃

    B

    低于烤瓷时温度10℃

    C

    低于烤瓷时温度4℃

    D

    高于烤瓷时温度4℃

    E

    与烤瓷时温度相同


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    某技师将瓷层已堆筑完成的PFM冠送入烤瓷炉中进行烧结，程序完成后发现冠表面所有体瓷全部爆裂，其原因可能是（）。
    A

    干燥、预热时间太长，瓷粉失水

    B

    未干燥、预热直接升温

    C

    烤瓷炉真空度过高

    D

    烧结温度过高

    E

    升温速率过低


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    金属基底冠除气的方法是

    A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

    B．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

    C．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min

    D．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

    E．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min


    正确答案：C

  • 第14题：

    真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括

    A．预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

    B．预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    C．现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    D．现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    E．现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间


    正确答案：D

  • 第15题：

    某技师制作的|567金属烤瓷桥烧结完成后发现瓷表面出现龟裂现象，其原因是（）。

    • A、烧结温度过低
    • B、烧结温度过高
    • C、干燥、预热时间过长，瓷粉过度失水
    • D、堆筑牙冠时瓷泥过稠
    • E、真空度不够

    正确答案:D

  • 第16题：

    预热温度和预热时间对TMP、CTMP浆的质量有很大影响，适宜的预热温度应在（）范围


    正确答案:120~135℃

  • 第17题：

    患者，男性，38岁，因死髓牙变色要求烤瓷冠修复1。除气时温度应为（）。

    • A、高于烤瓷时温度10℃
    • B、低于烤瓷时温度10℃
    • C、低于烤瓷时温度4℃
    • D、高于烤瓷时温度4℃
    • E、与烤瓷时温度相同

    正确答案:D

  • 第18题：

    干式站用变线圈浇注预热温度及时间、（）真空度及时间满足厂家工艺文件要求。

    • A、脱水脱气
    • B、脱水
    • C、脱气
    • D、脱水汽

    正确答案:A

  • 第19题：

    流通蒸汽消毒法消毒所需的时间是（）。

    • A、温度73℃～80℃持续时间10～15分钟
    • B、温度20℃～40℃持续时间40～50分钟
    • C、温度100℃持续时间15～30分钟
    • D、温度60℃～80℃持续时间30～60分钟
    • E、温度50℃～60℃持续时间20～30分钟

    正确答案:C

  • 第20题：

    单选题
    真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（）。
    A

    31～40℃

    B

    21～30℃

    C

    10℃以内

    D

    11～20℃

    E

    5℃


    正确答案： C
    解析： 采用体瓷、透明瓷自身上釉，需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。

  • 第21题：

    单选题
    真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（）。
    A

    预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

    B

    预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    C

    现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    D

    现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    E

    现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好，但出现凹凸不平的现象，其可能原因为（　　）。
    A

    烤瓷炉内污染

    B

    真空不好或没抽真空

    C

    瓷粉内粗细粒度比例不协调

    D

    未达到烧烤软化温度和时间

    E

    不透明瓷层太薄


    正确答案： C
    解析：
    瓷粉内粗细粒度比例不协调，细粒度成分多，由于细粒度软化温度低于粗粒度，因此在烧烤过程中细粒度向下沉，粗粒度处于原来位置，故造成烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好，但出现凹凸不平的现象。需要注意的是，在筑瓷过程中没有注意吸去多余的水分，在烧结过程中水分多的地方发生大量蒸发而出现塌陷，同样会造成表面凹凸不平的情况出现。

  • 第23题：

    单选题
    金属基底冠除气的方法是（）。
    A

    低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

    B

    低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

    C

    高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min

    D

    高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

    E

    高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是（）。
    A

    烤瓷失败

    B

    烤瓷失败，烤瓷件报废

    C

    烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

    D

    炉膛报废

    E

    发热体损坏


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

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