若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃
题目
若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度
A、高20～30℃
B、高10～20℃
C、高10℃以内
D、低10℃以内
E、低10～20℃
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第1题：
上釉的烧结温度是
A．低于体瓷温度5℃
B．低于体瓷温度10℃
C．低于体瓷温度20℃
D．高于体瓷温度5℃
E．高于体瓷温度10℃
正确答案：B
B -
第2题：
引物的退火温度与解链温度(Tm)的关系通常是( )。
A、退火温度比Tm高5℃～10℃
B、退火温度比Tm低5℃～10℃
C、退火温度比Tm低10℃～15℃
D、退火温度比Tm高15℃～20℃
E、退火温度比Tm低15℃～20℃
参考答案：B
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第3题：
在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是
A．31～40℃
B．21～30℃
C．10℃以内
D．11～20℃
E．5℃
正确答案：C
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第4题：
PFM烧结过程,下列说法正确的有A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡
B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃
C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外
D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊
E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
参考答案：ABDE
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第5题：
某技师采用二次法烧结遮色层，第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是
A．第一层与第二层烧结温度一致
B．第一层烧结温度比第二层低30～50℃
C．第一层烧结温度比第二层低10～20℃
D．第一层烧结温度比第二层高10～20℃
E．第一层烧结温度比第二层高30～50℃
正确答案：D