关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高D.突触前轴突末梢去极化E.Ca2由膜外进入突触前膜内

题目
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的()。

A.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

B.突触后膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

C.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

D.突触前轴突末梢去极化

E.Ca2由膜外进入突触前膜内

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    关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的

    A.突触前末梢去极化
    B.Ca由膜外进入突触前膜内
    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    答案：E
    解析：
    抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位，对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用，使该神经元不容易产生动作电位。

  • 第2题：

    关于SYN泛洪攻击,以下哪一项描述是错误的？

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    B．TCP会话表中的连接项是有限的

    C．SYN泛洪攻击破坏攻击目标的可用性

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    D

  • 第3题：

    1、关于细胞凋亡的描述，下列哪一项是错误的

    A．细胞坏死

    B．细胞的程序性死亡

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    细胞坏死

  • 第4题：

    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。

    A.
    B.突触前末梢去极化
    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    D.
    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    答案：E
    解析：

  • 第5题：

    关于细胞凋亡的描述，下列哪一项是错误的

    A．细胞坏死

    B．细胞的程序性死亡

    C．普遍存在的生命现象

    D．基本的细胞学事件或过程


    细胞坏死

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