一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。A、0B、1C、5D、10

第1题：

2、当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

第2题：

5、MOSFET出厂时，如果衬底未与源极相连，则 _____________在使用时可互换。

A．栅极与源极

B．漏极与源极

C．栅极与漏极

D．衬底与源极

第3题：

1、MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。

A．栅漏，漏极，电流控制电流

B．栅源，漏极，电压控制电流

C．漏源，漏极，电流控制电压

D．栅源，栅极，电流控制电压

第4题：

某N沟道增强型MOSFET，其源和衬底接地，栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时，测得漏源电流IDS为1mA；当栅极电压为4V时，测得漏源电流IDS为9mA。 （1）试计算该器件的VT 和β。 （2）当栅极电压为5V时，器件的跨导为多少？

第5题：

电力MOSFET的三个端子是栅极G、源极S、漏极D。