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  • 第1题:

    15、关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有()。

    A.杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降

    B.低温下,半导体的电阻率随温度的升高而下降,主要因为载流子浓度随温度升高而升高,且杂质电离散射几率随温度升高而下降

    C.高温下,当本征激发称为主要矛盾时,其电阻率随温度升高而下降

    D.当温度升高到杂质基本电离,且本征激发不显著时,晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素


    低温下,半导体的电阻率随温度的升高而下降,主要因为载流子浓度随温度升高而升高,且杂质电离散射几率随温度升高而下降;高温下,当本征激发称为主要矛盾时,其电阻率随温度升高而下降;当温度升高到杂质基本电离,且本征激发不显著时,晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

  • 第2题:

    若一种材料的电阻率随温度先下降后升高,则该材料是()。

    A.本征半导体

    B.金属化合物

    C.掺杂半导体

    D.高度补偿半导体


    掺杂半导体

  • 第3题:

    【判断题】半导体的电阻率ρ一般随温度的升高而减小。

    A.Y.是

    B.N.否


  • 第4题:

    如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为()

    A.掺杂半导体

    B.高纯化合物半导体

    C.本征半导体

    D.金属


    掺杂半导体

  • 第5题:

    8、热电阻温度传感器包括金属热电阻和半导体热电阻,利用了电阻率却随温度升高而升高,来实现温度测量。


    半导体热电阻