多晶硅薄膜的间接制备法是指先制备得到 晶硅薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。

题目

多晶硅薄膜的间接制备法是指先制备得到 晶硅薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。

相似考题

1.简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

2.用于太阳能电池的半导体材料有（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅

3.在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。A、凸透镜B、凹透镜C、聚光镜D、平光镜

4.简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

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  • 第1题：

    薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）所用的半导体材料中，目前使用最广泛、发展最成熟的是（）。

    • A、非晶硅
    • B、单晶硅
    • C、多晶硅

    正确答案:A

  • 第2题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。


    正确答案:1）高迁移率；
    2）容易p型和n型掺杂；
    3）自对准结构；
    4）抗光干扰能力强；
    5）抗电磁干扰能力强。

  • 第3题：

    简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。


    正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。

  • 第4题：

    单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。

    • A、热能
    • B、光热发电
    • C、电磁辐射
    • D、光伏发电

    正确答案:D

  • 第5题：

    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、非晶硅
    • D、微晶硅

    正确答案:A,B,C,D

  • 第6题：

    简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。


    正确答案: （1）H原子对硅材料中的体缺陷和晶界起到钝化作用，降低表面复合速度，进而提高VOC和ISC。
    （2）氮化硅还有良好的抗氧化、抗腐蚀和绝缘性能，以及良好的阻挡钠离子等金属离子和水蒸气的能力。
    （3）氮化硅膜具有很高的正电荷密度，3～4×1012cm-3，有利于N区多子通过。制备工艺：使用PECVD法制备。在反应炉内通入SiH4和NH3（或N2）气体，使它在硅晶表面产生一层非晶氮化硅减反膜，在减反膜里含有原子比例约为40℅的氢原子。

  • 第7题：

    异质基片上高品质叠层的多晶硅型薄膜技术有几种方法？


    正确答案: 目前广泛有：化学气相沉积法（CVD.、液相外延法（LPE.、固相结晶化法（SPC.

  • 第8题：

    薄膜电池分为：（）和非晶硅薄膜电池。


    正确答案:多晶硅薄膜电池

  • 第9题：

    单选题
    在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
    A

    凸透镜

    B

    凹透镜

    C

    聚光镜

    D

    平光镜


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。
    A

    热能

    B

    光热发电

    C

    电磁辐射

    D

    光伏发电


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    集点矩阵层中包含的TFT是（　　）。
    A

    薄膜晶体管

    B

    发光晶体管

    C

    非晶硒

    D

    非晶硅

    E

    氢化非晶硅


    正确答案： A
    解析：
    集点矩阵层中包含TFT（thin film transistor，薄膜晶体管）、储能电容。

  • 第12题：

    多选题
    用于太阳能电池的半导体材料有（）
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    非晶硅

    D

    微晶硅


    正确答案： A,B,C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。


    正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
    2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
    3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
    4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

  • 第14题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。


    正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
    1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
    2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
    3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
    4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
    5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。

  • 第15题：

    简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？


    正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
    制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。

  • 第16题：

    从不同技术路线市场份额看，（）市场份额超过85%。

    • A、薄膜电池
    • B、聚光电池
    • C、晶体硅电池
    • D、非晶硅电池

    正确答案:C

  • 第17题：

    在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。


    正确答案:聚光镜聚光

  • 第18题：

    铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。


    正确答案: 提纯材料：
    1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
    2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
    3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
    直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅）

  • 第19题：

    太阳能光伏发电的最基本元件有（）

    • A、太阳能电池（片）
    • B、单晶硅
    • C、多晶硅
    • D、非晶硅
    • E、铜铟镓硒薄膜电池

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第20题：

    光伏电站的电池组件是（）材料。

    • A、多晶硅
    • B、单晶硅
    • C、薄膜
    • D、砷化钾

    正确答案:A

  • 第21题：

    多选题
    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    非晶硅

    D

    微晶硅


    正确答案： C,D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。
    A

    非晶硅（a-Si）

    B

    低温多晶硅（LTPS）

    C

    金属氧化物（Oxide）

    D

    单晶硅（Si）


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    从不同技术路线市场份额看，（）市场份额超过85%。
    A

    薄膜电池

    B

    聚光电池

    C

    晶体硅电池

    D

    非晶硅电池


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。
    A

    300

    B

    400

    C

    500

    D

    600


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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