DRAM的含义是 。A．随机存储器B．动态随机存储器C．静态随机存储器D．只读存储器

题目

DRAM的含义是 。

A．随机存储器

B．动态随机存储器

C．静态随机存储器

D．只读存储器

相似考题

1.下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

2.DRAM存储器的中文含义是______。A．静态随机存储器B．动态随机存储器C．动态只读存储器D．静态只读存储器

3.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

4.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

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  • 第1题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

  • 第2题：

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

    Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ．SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：B
    解析：SRAM的工作速度快(如2ns)：不需要刷新电路，因此使用简单：在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出)；但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息，而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息)，功能较大，制造成本高，价格贵。选项B正确。

  • 第3题：

    CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的顺序是()。

    A、cache、DRAM和硬盘

    B、DRAM、cache和硬盘

    C、硬盘、DRAM和cache

    D、DRAM、硬盘和cache


    参考答案：A

  • 第4题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第5题：

    为提高PC机主存储器的存取速度，出现了多种类型的DRAM内存条，若按存取速度从低到高排列，正确的顺序是( )。

    A．EDO DRAM，SDRAM，RDRAM

    B．EDO DRAM，RDRAM，SDRAM

    C．SDRAM，EDO DRAM，RDRAM

    D．RDRAM，DEO DRAM，SDRAM


    正确答案：A

  • 第6题：

    以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（ ）。

    A.SRAM的内容是不变的，DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的，DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的，但DRAM的内容需要定期刷新


    正确答案：D

  • 第7题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。

    A.Ⅰ和Ⅱ
    B.Ⅱ和Ⅲ
    C.Ⅲ和Ⅳ
    D.Ⅰ和Ⅳ

    答案：B
    解析：
    DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM，SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。

  • 第8题：

    DRAM存储器的中文含义是（）。

    • A、静态随机存储器
    • B、动态随机存储器
    • C、静态只读存储器
    • D、动态只读存储器

    正确答案:B

  • 第9题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第10题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第11题：

    SRAM和DRAM的区别？（）

    • A、SRAM比DRAM功耗高
    • B、SRAM比DRAM成本高
    • C、SRAM比DRAM速度快
    • D、SRAM比DRAM散热大

    正确答案:A,B,C,D

  • 第12题：

    单选题
    DRAM存储器的中文含义是（  ）。
    A

    静态随机存储器

    B

    静态只读存储器

    C

    动态随机存储器

    D

    动态只读存储器


    正确答案： A
    解析：

  • 第13题：

    PC机中，DRAM内存条的速度与类型有关，若按存取速度从低到高的顺序排列，正确的是

    A．SDRAM、RDRAM、EDO DRAM

    B．EDO DRAM、SDRAM、RDRAM

    C．EDO DRAM、RDRAM、SDRAM

    D．RDRAM、EDO DRAM、SDRAM


    正确答案：B
    解析：本题考查对DRAM工作速度的掌握。RDRAM，EDODRAM，SDRAM都是 提高DRAM读写速度的技术，其中RDRAM速度最快，EDODRAM存取速度最慢。

  • 第14题：

    DRAM与SRAM比较:()

    A、DRAM比SRAM速度快

    B、DRAM比SRAM价格低

    C、DRAM比SRAM较容易使用


    参考答案：B

  • 第15题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第16题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    A．①和②

    B．②和③

    C．③和④

    D．①和④


    正确答案：D

  • 第17题：

    SRAM和DRAM的区别?()

    A.SRAM比DRAM功耗高

    B.SRAM比DRAM成本高

    C.SRAM比DRAM速度快

    D.SRAM比DRAM散热大


    参考答案：ABCD

  • 第18题：

    下列关于DRAM的叙述，正确的是

    A.DRAM是一种随机存储器

    B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.DRAM是一种半导体存储器

    E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABCD

  • 第19题：

    下面关于DRAM存储器描述错误的是（）

    • A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新
    • B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点
    • C、DRAM存储器属于非易失的存储器
    • D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

    正确答案:C

  • 第20题：

    以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRAM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第21题：

    EDO DRAM是指（）

    • A、快页模式DRAM
    • B、同步DRAM
    • C、视频DRAM
    • D、扩展数据输出DRAM

    正确答案:D

  • 第22题：

    CPU执行指令需要从存储器读取数据时，数据搜索的先后顺序是（）

    • A、Cache、DRAM和硬盘
    • B、DRAM、Cache和硬盘
    • C、硬盘、DRAM和Cache
    • D、DRAM、硬盘和Cache

    正确答案:A

  • 第23题：

    DRAM的中文含义是（）。

    • A、随机存储器
    • B、动态随机存储器
    • C、只读除存储器
    • D、可读写存储器

    正确答案:B

  • 第24题：

    单选题
    EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是（）。
    A

    没有区别

    B

    EDO RAM比FPM DRAM的快

    C

    FPM DRAM比EDO RAM的快

    D

    EDO RAM比FPM DRAM小

    E

    FPM DRAM比EDO RAM价格高


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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