6、工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个 。A．恒压源B．电压控制电流源C．恒流源D．电流控制电压源

题目

6、工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个 。

A．恒压源

B．电压控制电流源

C．恒流源

D．电流控制电压源

相似考题

1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.稳压管稳压时工作在()。A、正向区B、饱和区C、击穿区D、无法确定

3.稳压管的稳压区是工作在正向饱和。()

4.半导体开关三极管正常工作的条件是工作在( )。A.截止区、饱和区B.截止区、放大区C.放大区、饱和区D.耗散区、放大区

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  • 第1题：

    “流”(stream)可以看作是一个流动的______缓冲区。


    正确答案：数据。
    数据。 解析：在计算机中，流可以看做是一个流动的数据缓冲区。数据从数据源流向数据目的地。流的传送是串行的。

  • 第2题：

    一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。

    • A、二极管
    • B、负载电容
    • C、负载电感
    • D、有源负载

    正确答案:D

  • 第3题：

    晶体三极管作开关使用时，应工作在（）。

    • A、放大区
    • B、饱和区
    • C、截止区
    • D、饱和区和截止区

    正确答案:D

  • 第4题：

    在脉冲电路中，三极管主要工作在（）三极管的这种工作状态通常称为开关工作状态。

    • A、放大区
    • B、截止区和饱和区
    • C、饱和区
    • D、截止区

    正确答案:B

  • 第5题：

    工作在饱和区的三极管会损坏。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    通常三极管在模拟电路中工作在（）区，在数字电路中则工作在截止区或饱和区。


    正确答案:放大

  • 第7题：

    UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第8题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第9题：

    晶体三极管作开关用时，是工作在（）。

    • A、放大区；
    • B、饱和区；
    • C、截止区；
    • D、饱和区和截止区。

    正确答案:D

  • 第10题：

    多选题
    关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）
    A

    高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。

    B

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。

    C

    高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。

    D

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    用MOS管作有源电阻，器件工作在什么状态？

    正确答案： 饱和状态
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）


    正确答案：
     

  • 第14题：

    晶体管作为开关管使用时，工作在（）

    • A、放大区
    • B、饱和区
    • C、截止区
    • D、B和C

    正确答案:D

  • 第15题：

    在数字电路中，晶体管作为开关应用，因此，它始终（）。

    • A、工作在放大区
    • B、工作在截止区
    • C、工作在饱和区
    • D、在截止和饱和状态间转换。

    正确答案:D

  • 第16题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第17题：

    当场效应管的VGSGS（th）时，则该管工作在（）

    • A、饱和区
    • B、非饱和区
    • C、击穿区
    • D、截止区

    正确答案:D

  • 第18题：

    场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。

    • A、非饱和区
    • B、饱和区
    • C、截止区
    • D、击穿区

    正确答案:B

  • 第19题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第20题：

    MOS管作开关应用时，其工作状态应在截止区和（）之间转换。


    正确答案:非饱和区

  • 第21题：

    单选题
    在脉冲电路中，三极管主要工作在（）三极管的这种工作状态通常称为开关工作状态。
    A

    放大区

    B

    截止区和饱和区

    C

    饱和区

    D

    截止区


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

    正确答案： 晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，呈现非饱和特性；而当漏源电压超过一定值时，由于载流子速度饱和（短沟道）或者沟道夹断（长沟道），其漏源电流基本不随漏源电压发生变化，产生饱和特性。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
    A

    增大

    B

    减小

    C

    不变

    D

    先减小后增大


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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