关于突触前抑制的描述,错误的是()A.中间兴奋性神经元兴奋B.突触后膜超极化C.突触前膜去极化D.突触前膜释放兴奋性递质E.突触前膜内递质耗竭

题目
关于突触前抑制的描述,错误的是()

A.中间兴奋性神经元兴奋

B.突触后膜超极化

C.突触前膜去极化

D.突触前膜释放兴奋性递质

E.突触前膜内递质耗竭

相似考题

1.关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的A、持续时间长B、突触前膜去极化C、潜伏期较长D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

2.关于突触前抑制的论述,正确的是()A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

3.关于突触前抑制的叙述，正确的是( )。A、突触前膜超极化B、突触后膜超极化C、突触前膜去极化D、突触前膜释放抑制性递质E、潜伏期较短

4.下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动

更多“关于突触前抑制的描述,错误的是() ”相关问题

  • 第1题：

    关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的

    A、突触前膜去极化

    B、持续时间长

    C、潜伏期较长

    D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

    E、轴突末梢释放抑制性递质


    参考答案：E

  • 第2题：

    下列突触前抑制的描述，哪个是不正确的

    A．突触前膜释放递质量减少

    B．一定有轴—轴突触存在

    C．突触前膜释放抑制性递质

    D．多见于感觉传入途径中


    正确答案：C

  • 第3题：

    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。

    A.
    B.突触前末梢去极化
    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    D.
    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    答案：E
    解析：

  • 第4题：

    关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

    A．突触前末梢去极化

    B．Ca2+由膜内进入突触前膜内

    C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

    E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


    正确答案：E
    解析：IPSP产生过程是：突触前末梢去极化，Ca2+由膜内进入突触前膜内，引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合，使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高，突触后膜出现超极化的电位变化，突触后神经元表现抑制。

  • 第5题：

    关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？


    A.结构基础与突触前抑制完全不同
    B.到达突触前末梢的动作电位频率高
    C.有多个兴奋同时到达突触前末梢
    D.进入突触前末梢内的增多

    答案：D
    解析：

相关内容