N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定

题目

N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

  • A、正极性
  • B、负极性
  • C、零
  • D、不能确定
相似考题

1.增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()此题为判断题(对，错)。

2.结型场效应管的类型有()。A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

3.增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()此题为判断题(对，错)。

4.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

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  • 第1题：

    某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

    • A、耗尽型管
    • B、增强型管
    • C、绝缘栅型
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第2题：

    绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种


    正确答案:正确

  • 第3题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第4题：

    对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（）并且只能当VGS（）时，才能形成Id。


    正确答案:为正；大于开启电压

  • 第5题：

    场效应管按结构分为结型和（）。

    • A、绝缘栅型
    • B、耗尽型
    • C、增强型

    正确答案:A

  • 第6题：

    当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。


    正确答案:无；最小

  • 第7题：

    场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。


    正确答案:漏极

  • 第8题：

    场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。


    正确答案:结型；增强型

  • 第9题：

    EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    单选题
    结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。
    A

    反偏电压

    B

    反向电流

    C

    正偏电压

    D

    正向电流


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    更具结构不同，场效应管分为（）
    A

    N沟道和P沟道场效应管

    B

    NPN和PNP型场效应

    C

    MOS管和MNS管

    D

    结构和绝缘栅场效应管


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小


    正确答案:错误

  • 第14题：

    场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。

    • A、N沟道和P沟道
    • B、H沟道和P沟道
    • C、N沟道和H沟道
    • D、Y沟道和H沟道

    正确答案:A

  • 第15题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第16题：

    结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。


    正确答案:＜；＞

  • 第18题：

    根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。


    正确答案:增强型

  • 第19题：

    N沟道JFET的跨导gm是（）

    • A、一个固定值
    • B、随电源电压VDD增加而加大
    • C、随静态栅源电压VGS增加而加大
    • D、随静态栅源电压VGS增加而减小

    正确答案:C

  • 第20题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第21题：

    更具结构不同，场效应管分为（）

    • A、N沟道和P沟道场效应管
    • B、NPN和PNP型场效应
    • C、MOS管和MNS管
    • D、结构和绝缘栅场效应管

    正确答案:D

  • 第22题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
    A

    正极性

    B

    负极性

    C

    零

    D

    不能确定


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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