含硅量≥99.9999999%的多晶硅废
题目
含硅量≥99.9999999%的多晶硅废
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第1题：
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
- A、二氧化硅
- B、氮化硅
- C、单晶硅
- D、多晶硅
正确答案:A -
第2题：
青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）
- A、一
- B、二
- C、三
- D、四
正确答案:A -
第3题：
高碳铬铁的化学成份中（）。
- A、含硅量越高，含碳量越低
- B、含硅量越高，含碳量越高
- C、含硅量与含碳量无直接关系
- D、含硅量越高，含磷量越低
正确答案:A -
第4题：
20MnSi钢号的含义是（）。
- A、含碳量为0.20%，含锰量小于1.5%、含硅量小于1.5%的低合金结构钢
- B、含碳量为2%，含锰量小于1.5%、含硅量小于1.5%的低合金结构钢
- C、含碳量为0.02%，含锰量小于1.0%、含硅量小于1.5%的低合金结构钢
- D、含碳量为0.20%，含锰量小于1.0%、含硅量小于1.0%的低合金结构钢
正确答案:A -
第5题：
在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
正确答案:聚光镜聚光 -
第6题：
高硅铸铁管是含碳量为（），含硅量为（）的铁硅合金管。
正确答案:0.6-2.0%；12-18% -
第7题：
其他含硅量≥99.9999999%的多晶
正确答案:2804619019 -
第8题：
问答题单晶硅与多晶硅的区别？正确答案： 多晶硅是由多个单晶单元随机堆积形成的，多晶硅没有单晶所特有的特征，如各向异性、短程有序等。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题什么是多晶硅？正确答案： 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A整个多晶硅的长度
B多晶硅中两个引线孔中心点的距离
C多晶硅中两个引线孔内侧的距离
D多晶硅中两个引线孔外侧的距离
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题半导体级硅的纯度为99.9999999%。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第13题：
简述低温多晶硅技术的挑战。
正确答案:1）存在小尺寸效应；
2）关态电流大；
3）低温大面积制作困难；
4）设计和研发成本高。 -
第14题：
硅铁的比重随含硅量的（）而减少故常用测定合金（）的方法确定合金含硅量。
正确答案:增加；比重 -
第15题：
合金中化学成份中的（）。
- A、含硅量越高，含碳量越低
- B、含硅量越高，含碳量越高
- C、含硅量与含碳量无直接关系
正确答案:A -
第16题：
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。 -
第17题：
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
正确答案: 提纯材料：
1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅） -
第18题：
其他含硅量≥99.99%的硅
正确答案:2804619099 -
第19题：
晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？
正确答案: 增加太阳电池表面光吸收是太阳电池生产过程中的一个重要环节在合适的反应条件下，用酸腐蚀法可以在硅片上制备出减反射效果良好的绒面，并且工艺简单、成本低，适合于实际应用。如果能解决好与太阳电池生产后续工艺的兼容问题，这种方法将会有很好的工业应用前景。 -
第20题：
填空题高硅铸铁管是含碳量为（），含硅量为（）的铁硅合金管。正确答案： 0.6-2.0%,12-18%解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题青海黄河水电多晶硅项目是我国第几套电子级多晶硅项目（）A一
B二
C三
D四
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？正确答案： 轻掺杂解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A第一层多晶硅的面积
B第二层多晶硅的面积
C二层多晶硅重叠后的面积
正确答案： A解析： 暂无解析