硅提纯及制备工艺流程正确的是()。A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

题目
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。

A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅

B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

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1.热熔法制备栓剂的工艺流程是（ ）

2.5、硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。

3.多晶硅薄膜的间接制备法是指先制备得到 晶硅薄膜，再通过不同的晶化技术，将其晶化为多晶硅薄膜。

4.4、半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。

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  • 第1题：

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    错误

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    错误

  • 第3题：

    3、晶体硅太阳电池制备工艺流程是先制绒再扩散制结


    标准晶体硅太阳能电池组件封装工艺流程：电池片筛选（划片、检测）→单体正面焊接→背面焊接连串→铺设（玻璃清洗、材料切割、排版、铺设）→半成品测试→层 压→裁边→ 装边框 （边框涂胶、装连接角码、装电池板、组框压合、清洗）→焊接接线盒→组件测试→外观检验→包装入库

  • 第4题：

    区域熔炼技术主要是应用于： （) A、 制备低共熔混合物 B、 提纯 C、 制备不稳定化合物 D、 获得固熔体

    A．制备低共熔混合物

    B．提纯

    C．制备不稳定化合物

    D．获得固熔体


    B

  • 第5题：

    4、制备直拉单晶硅和铸造多晶硅的主要原材料是（）


    优点：铸造多晶硅材料利用率高、耗能小、制备成本低，且晶体生长简便，易于大尺寸生长。缺点：含有晶界、高密度位错、微缺陷和相对较高的杂质浓度，晶体质量明显低于单晶硅，电池转换效率低。

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