雪崩击穿

题目

雪崩击穿

相似考题

1.二极管的击穿分两种,分别是()。A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿

2.二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿

3.由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

4.二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP

参考答案和解析
正确答案: 当二极管加有反向电压时，P-N结的空间电荷区内的电场强度随着电压加大而加大，形成反向电流的双方的少数载流子漂移速度加快，动能增大，碰撞未电离的半导体原子，从而产生新的电子空穴，如此循环，这个过程称为雪崩击穿。
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  • 第1题：

    负载为大电感负载,单相桥式半控整流桥如不加续流二极管,在电路中出现触发脉冲丢失或者触发脉冲的延迟角α增大到180°时电路会出现()现象。

    A雪崩击穿

    B、二次击穿

    C、失控

    D、以上都不是


    参考答案：C

  • 第2题：

    当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?()

    A.雪崩击穿

    B.齐纳击穿

    C.热击穿

    D.碰撞击穿


    正确答案：A

  • 第3题：

    雪崩效应


    正确答案: 当外电场撤除之后，绝缘再也不能恢复的叫做永久性击穿（或称为雪崩效应）。

  • 第4题：

    在伏安特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT（或IBR）或接近发生雪崩的电流条件下，雪崩击穿二极管（ABD管）两端测得的电压称之为（）。

    • A、限制电压
    • B、最大工作电压
    • C、击穿电压
    • D、残压

    正确答案:C

  • 第5题：

    简述雪崩和本征电击穿的区别。


    正确答案:本征击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的，而“雪崩”击穿是考虑到高场强时，导电电子倍增过程逐渐达到难以忍受的程度，导致介质晶格破坏。

  • 第6题：

    二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）

    • A、雪崩击穿
    • B、齐纳击穿
    • C、热击穿
    • D、碰撞击穿

    正确答案:A

  • 第8题：

    当单阀内仅剩余1个冗余晶闸管时，或者短时内发生多个晶闸管连续损坏时，应及时申请（），避免发生雪崩击穿导致整阀损坏。


    正确答案:停运直流系统

  • 第9题：

    填空题
    PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。

    正确答案： 小,大,大,小,大,小
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。

    正确答案： 小,小
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应

    正确答案： 在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G<1C. G=1D. G=0

    PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()

    A. G>1

    B. G<1

    C. G=1

    D. G=0


    参考答案：C

  • 第14题：

    雪崩体能使每平方米的被打物体表面承受40~50吨的力量，冲击力量非常惊人，雪崩体在高速运动过程中，还能够引起空气剧烈的振荡，在雪崩龙头前方造成类似于原子弹爆炸时的冲击波的强大气浪。在陡岩或河谷急转弯的地方，雪崩体很可能被阻停留下来。而雪崩气浪却会继续沿着雪崩运动的方向爬山越岭，摧毁森林、房屋，倾覆车辆，人畜遇到它可能窒息而死。从这段文字可以推出：


    A. 雪崩体的巨大冲击力更甚于原子弹爆炸
    B. 雪崩的威力一般只能达到陡岩或者河谷急转变的地方
    C. 雪崩体对登山队员的主要威胁在于缺氧
    D. 雪崩气浪的作用范围要比雪崩体大得多

    答案：D
    解析：
    解题指导： （1）结论型。概括分句，分析分句支持的主句是哪个选项。分句1：雪崩可形成类似于原子弹爆炸时的冲击波的强大气浪；分句2：在陡岩或者河谷急转弯的地方，雪崩体很可能被阻停留下来；分句3：雪崩被阻停留时，气浪继续沿着雪崩运动方向运动。（3）分句3“雪崩被阻停留时，气浪继续沿着雪崩运动方向运动”，推出气浪比雪崩的波及范围广，即答案D“雪崩气浪的作用范围要比雪崩体大得多”。（4）选项A“雪崩体的巨大冲击力更甚于原子弹爆炸”，与分句1“雪崩可形成类似于原子弹爆炸时的冲击波的强大气浪”不符，排除。（5）B选项偷换概念。“雪崩体”与“雪崩的威力”是不同概念。C是无关选项。故答案为D。

  • 第15题：

    雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）

    • A、待机
    • B、钳制
    • C、击穿
    • D、短路

    正确答案:A,B

  • 第16题：

    二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。

    • A、雪崩、齐纳
    • B、虚、实
    • C、电压、电流
    • D、PN、NP

    正确答案:A

  • 第17题：

    简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应


    正确答案:在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。

  • 第18题：

    齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。


    正确答案:5V；7V；负；正

  • 第19题：

    PN结的反向击穿有雪崩和（）两种击穿。


    正确答案:齐纳

  • 第20题：

    名词解释题
    雪崩击穿

    正确答案： 当二极管加有反向电压时，P-N结的空间电荷区内的电场强度随着电压加大而加大，形成反向电流的双方的少数载流子漂移速度加快，动能增大，碰撞未电离的半导体原子，从而产生新的电子空穴，如此循环，这个过程称为雪崩击穿。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（    ）。
    A

    载流子在耗尽区的漂移时间过长

    B

    将光信号转换为电信号的效率太低

    C

    其所加的反向偏置电压过大

    D

    其注入的非平衡载流子扩散过快


    正确答案： C
    解析：

  • 第22题：

    多选题
    雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）
    A

    待机

    B

    钳制

    C

    击穿

    D

    短路


    正确答案： D,A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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