参考答案和解析
参考答案:A
更多“二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP ”相关问题
  • 第1题:

    5、以下说法错误的是()。

    A.电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种,只要反向电流控制在一定范围内,是可以逆转的。

    B.稳压二极管在正常工作时外加反偏电压,所以无需串联限流电阻。

    C.齐纳击穿的本质是场致电离,对电场强度的要求很高

    D.雪崩击穿的本质是碰撞电离,要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能


    强电场作用;介质损耗;空气电离

  • 第2题:

    按击穿的原理区分,PN结的击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿。


    高浓度的掺入杂质且耗尽层很窄的PN结反向电击穿时,一般为齐纳击穿。?PN结有齐纳击穿和雪崩击穿两种电击穿。电击穿后会产生大量的电子-空穴对,使反向击穿电流激增。?低浓度的掺入杂质且耗尽层比较宽的PN结反向电击穿时,一般为雪崩击穿。

  • 第3题:

    3、下列关于PN结反向击穿的描述,错误的是 ()。

    A.雪崩击穿和齐纳击穿都属于电击穿,在允许的耗散功率内,击穿是可逆的;

    B.一般情况下,雪崩击穿要求二极管掺杂浓度较高;

    C.热击穿会导致二极管烧毁,应当避免;

    D.通常,雪崩击穿的击穿电压高于齐纳击穿的击穿电压。


    一般情况下,雪崩击穿要求二极管掺杂浓度较高 ;

  • 第4题:

    【单选题】PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR()。

    A.重掺杂

    B.轻掺杂

    C.较高

    D.较低


    雪崩击穿; 齐纳击穿;热击穿

  • 第5题:

    按击穿的原理区分,PN节的击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿


    正确