更多“IGBT的驱动方法和()基本相同,故具有高输入阻抗特性。A、MOSFETB、GTOC、SCRD、GTR”相关问题
  • 第1题:

    试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。


    参考答案:GTR的容量中等,工作频率一般在10kHz以下,电流控制型器件,所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小,工作频率最高,可达100kHz以上,电压控制型器件,所需驱动功率最小,但其通态压降大,开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级,但为电压控制型器件,驱动功率小,工作频率高,有取代GTR之势。

  • 第2题:

    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();

    A.输出饱和压降低;

    B.输入阻抗高;

    C.开关速度高;

    D.通态度损耗小;


    参考答案:A, B, C, D

  • 第3题:

    采用交-直-交技术的变频器,整流环节通常使用哪些电力电子器件?()

    • A、二极管、三极管、MOSFET
    • B、运算放大器、二极管、GTO
    • C、电力二极管、晶闸管、IGBT
    • D、三极管、场效应管、GTR

    正确答案:C

  • 第4题:

    电力场效应管指的是()。

    • A、MOSFET
    • B、GTO
    • C、IGBT
    • D、GTR

    正确答案:A

  • 第5题:

    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();

    • A、输出饱和压降低;
    • B、输入阻抗高;
    • C、开关速度高;
    • D、通态度损耗小;

    正确答案:A,B,C,D

  • 第6题:

    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?


    正确答案: IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。

  • 第7题:

    现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有()。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、晶闸管
    • D、GTR

    正确答案:A,B,C,D

  • 第8题:

    下列属于单极型电压驱动型器件的是()。

    • A、GTR
    • B、GTO
    • C、MOSFET
    • D、IGBT

    正确答案:C

  • 第9题:

    下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是()

    • A、GTO和SCR
    • B、GTR和电力二极管
    • C、GTR和SCR
    • D、GTO和GTR

    正确答案:D

  • 第10题:

    多选题
    IGBT功率器件同时具有()和较低的饱和压降,从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。
    A

    较高的输入阻抗

    B

    较低的输入阻抗

    C

    较高的工作频率

    D

    较低的工作频率


    正确答案: C,A
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案: GTO
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。
    A

    GTO和GTR;

    B

    TRIAC和IGBT;

    C

    MOSFET和IGBT;

    D

    SCR和MOSFET;


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

    A、GTR驱动的MOSFET

    B、MOSFET驱动的GTR

    C、MOSFET驱动的晶闸管

    D、MOSFET驱动的GT0


    参考答案:B

  • 第14题:

    IGBT的驱动方法和()基本相同,故具有高输入阻抗特性。

    • A、MOSFET
    • B、GTO
    • C、SCR
    • D、GTR

    正确答案:A

  • 第15题:

    绝缘栅双极晶体管指的是()。

    • A、MOSFET
    • B、GT0
    • C、IGBT
    • D、GTR

    正确答案:C

  • 第16题:

    IGBT的驱动特性原则上与()的几乎相同。


    正确答案:MOSFET

  • 第17题:

    IGBT功率器件同时具有()和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。

    • A、较高的输入阻抗
    • B、较低的输入阻抗
    • C、较高的工作频率
    • D、较低的工作频率

    正确答案:A,C

  • 第18题:

    说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。


    正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT:
    (1)优点:开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
    (2)缺点:开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
    电力晶体管GTR:
    (1)优点:开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
    (2)缺点:开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
    门极可关断晶闸管GTO:
    (1)优点:通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
    (2)缺点:开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
    电力场效应管MOSFET:
    (1)优点:开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
    (2)缺点:电流容量小、耐压低。

  • 第19题:

    功率最大的器件是()。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、SCR
    • D、电力三极管

    正确答案:C

  • 第20题:

    IGBT是一个复合型的器件,它是()。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第21题:

    单选题
    采用交-直-交技术的变频器,整流环节通常使用哪些电力电子器件?()
    A

    二极管、三极管、MOSFET

    B

    运算放大器、二极管、GTO

    C

    电力二极管、晶闸管、IGBT

    D

    三极管、场效应管、GTR


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    多选题
    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();
    A

    输出饱和压降低;

    B

    输入阻抗高;

    C

    开关速度高;

    D

    通态度损耗小;


    正确答案: A,B
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    问答题
    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

    正确答案: IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    IGBT的驱动特性原则上与()的几乎相同。

    正确答案: MOSFET
    解析: 暂无解析