晶核的形成有（）方式。A、自发形核（异质形核）B、非自发形核（异质形核）C、自发形核（均质形核）D、非自发形核（均质形核）

题目

晶核的形成有（）方式。

  • A、自发形核（异质形核）
  • B、非自发形核（异质形核）
  • C、自发形核（均质形核）
  • D、非自发形核（均质形核）
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1.液态金属结晶的基本过程是()A.边形核边长大B.先形核后长大C.自发形核D.非自发形核

2.非自发形核

3.液态金属结晶的基本过程是（）。A、边形核边长大B、先形核后长大C、自发形核非自发形核D、晶枝生长

4.自发形核

参考答案和解析
正确答案:B,C
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  • 第1题：

    在凝固过程中形核的两种方式是（）形核和非自发形核。


    正确答案:自发

  • 第2题：

    下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）

    • A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；
    • B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；
    • C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；
    • D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

    正确答案:A,B,C,D

  • 第3题：

    非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    在金属结晶过程中，晶核的形成有两种形式：（）。且非自发形核比自发形核更重要，往往起（）作用。


    正确答案:自发形核（均质形核）和非自发形核（异质形核）；优先及主导

  • 第5题：

    下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）

    • A、临界晶核的体积和表面积越小；
    • B、形核需要的过冷度越小；
    • C、需要的形核功越小。。

    正确答案:A,B,C

  • 第6题：

    多选题
    晶核的形成方式有两种，即（）
    A

    喂养形成

    B

    自发形核

    C

    非自发形核


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    金属结晶后，其晶粒的粗细与结晶时（）有关。
    A

    形核率和形核速度

    B

    形核速度和形核面积

    C

    形核率和晶核长大速度

    D

    晶粒度和晶核长大速度


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    说明为什么异质形核比均质形核容易？影响异质形核的因素？

    正确答案： 因为均质形核在其形核过程中为克服过程中的能障，所需要的过冷度是很大的，而实际金属凝固过程中的过冷度远小于此，所以较难发生；对异质形核而言，液态金属中存在一些微小的固相杂质质点，并且液态金属在凝固时还和型壁相接触，于是晶核就可以优先依附于这些现成的固体表面形核，因此形核所需的过冷度大大降低，所以异质形核比均质形核更容易。
    影响异质形核的因素：
    （1）金属液过冷度的大小：一定范围内，过冷度越大，越促进形核；
    （2）结晶相的晶格与杂质基底晶格的错配度的大小：错配度越小，越促进形核；
    （3）杂质表面的形貌和杂质特性的影响；
    （4）过热度的影响：过热度很大时，固态杂质质点表面状态发生改变或发生熔化，从而阻碍了异质形核；
    （5）其他物理因素的影响：如震动和搅动都促进了异质形核。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    简述均质形核与异质形核的异同。

    正确答案： 相同点：异质形核的临界晶核半径在形式上与均质形核临界晶核半径完全相同
    不同点：
    ①均质形核临界晶核是球体，而异质形核的晶核为球体的一部分（球冠），因而异质晶核中所含原子数目少，这样的晶坯易形成。
    ②润湿角θ与均质形核无关，而影响异质晶核的体积。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    非均匀形核的形核功与接触角θ有关，θ角（），形核功越小，形核率越高。
    A

    越小

    B

    越大

    C

    为90°

    D

    以上都不对


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    名词解释题
    非自发形核

    正确答案： 在液相中那些对形核有催化作用的现成界面上形成的晶核
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    液态金属结晶的基本过程是（）。
    A

    边形核边长大

    B

    先形核后长大

    C

    自发形核非自发形核

    D

    晶枝生长


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做（）。

    • A、自发形核
    • B、非自发形核
    • C、结晶
    • D、形核

    正确答案:A

  • 第14题：

    非均匀形核的形核功与接触角θ有关，θ角（），形核功越小，形核率越高。

    • A、越小
    • B、越大
    • C、为90°
    • D、以上都不对

    正确答案:A

  • 第15题：

    焊缝金属，开始结晶时并不形核，而是在母材基体上（）长大。

    • A、自发形核
    • B、非自发形核
    • C、联生结晶
    • D、细化晶粒

    正确答案:C

  • 第16题：

    非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大，其促进非均匀形核的作用越大。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    名词解释题
    非均质形核

    正确答案： 指在不均匀的熔体中依靠外来杂质或型壁界面提供的衬底进行形核的过程
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    多选题
    下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（）
    A

    临界晶核的体积和表面积越小；

    B

    形核需要的过冷度越小；

    C

    需要的形核功越小。。


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    名词解释题
    自发形核

    正确答案： 自发形核：只依靠液态金属本身在一定过冷度下由其内部自发长出结晶核心。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    多选题
    以下说法中，（）说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。
    A

    非均匀形核所需过冷度更小

    B

    均匀形核比非均匀形核难度更大

    C

    一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大

    D

    均匀形核试非均匀形核的一种特例

    E

    实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核


    正确答案： E,A
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    实际金属结晶形成晶核时，主要是哪种形核方式（）。
    A

    自发形核

    B

    非自发形核

    C

    平面形核


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）
    A

    非均匀形核比均匀形核的形核率高；

    B

    均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；

    C

    非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；

    D

    非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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