禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。
第1题:
第2题:
N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
第3题:
禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
第4题:
与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。
第5题:
半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
第6题:
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于()。
第7题:
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
第8题:
禁带
价带
导带
满带
第9题:
记录带通越宽,则脑电信号的保真性越差
记录带通越宽,则外界信号的干扰越弱
滤波造成的波幅衰减不应超过50%
记录带通越宽,则脑电信号的保真性越好
如高频滤波是100Hz,则100Hz以上的信号完全被衰减
第10题:
禁带
分子
粒子
能带
第11题:
价带,导带
价带,禁带
禁带,导带
导带,价带
第12题:
第13题:
下列不是能带的是().
第14题:
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。
第15题:
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
第16题:
N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
第17题:
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
第18题:
P型半导体和N型半导体中都有载流子,但就半导体器件本身都是()
第19题:
禁带
满带
导带
价带
第20题:
比半导体的大
比半导体的小
与半导体的相等
第21题:
禁带
价带
导带
满带
第22题:
第23题:
对
错
第24题: