半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。外壳应有小的(),使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。A、热阻B、阻抗C、结构参数

题目

半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。外壳应有小的(),使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。

  • A、热阻
  • B、阻抗
  • C、结构参数

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参考答案和解析
正确答案:A
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  • 第1题:

    半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体的()

    • A、性能参数
    • B、转移特性
    • C、内部性能
    • D、特性曲线

    正确答案:D

  • 第2题:

    ()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。

    • A、本征半导体
    • B、P型半导体
    • C、N型半导体
    • D、NPN型半导体

    正确答案:A,B,C

  • 第3题:

    在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响,就必须使它们在电性能上相互绝缘。()


    正确答案:正确

  • 第4题:

    半导体分立器件如何分类?


    正确答案: 按照习惯,通常把半导体分立器件分成如下类别:
    半导体二极管
    普通二极管:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等;
    特殊二极管:微波二极管、变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN、TVP管等;
    敏感二极管:光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管、磁敏二极管;
    发光二极管。
    双极型晶体管
    锗管:高频小功率管(合金型、扩散型),低频大功率管(合金型、台面型);
    硅管:低频大功率管、大功率高压管(扩散型、扩散台面型、外延型)
    高频小功率管、超高频小功率管、高速开关管(外延平面工艺),低噪声管、微波低噪声管、超β管(外延平面工艺、薄外延、钝化技术)
    高频大功率管、微波功率管(外延平面型、覆盖型、网状结构、复合型)。
    专用器件:单结晶体管、可编程单结晶体管。
    晶闸管
    普通晶闸管、高频快速晶闸管;双向晶闸管、可关断晶闸管(GTO);
    特殊晶闸管:正反向阻断管、逆导管等。
    场效应晶体管结型硅管:N沟道(外延平面型)、P沟道(双扩散型)、隐埋栅、V沟道(微波大功率);结型砷化镓管:肖特基势垒栅(微波低噪声、微波大功率);
    硅MOS耗尽型:N沟道、P沟道;
    硅MOS增强型:N沟道、P沟道。

  • 第5题:

    元器件表面安装金属外壳的元器件,用支架将元器件固定在印制板上前包裹聚酯薄膜主要是为了()。

    • A、散热
    • B、导电
    • C、绝缘
    • D、外观防护

    正确答案:C

  • 第6题:

    对电子设备进行热设计的要求()

    • A、通过热设计在满足性能要求下尽可能减少设备内部的热量
    • B、通过热设计设法较少热阻
    • C、通过人设计能保证设备在较低温度条件下,以便减少参数漂移,保持电性能稳定,从而提高可靠性
    • D、减少设备的发热量

    正确答案:A,B,C

  • 第7题:

    属于抗凝露器件的是()。

    • A、呼吸元件
    • B、外壳
    • C、限能元件

    正确答案:A

  • 第8题:

    固态继电器(简称SSR)是一种由固态半导体器件组成的新型无触点的电子开关器件。它的输入端仅要求()的控制电流,驱动功率小,能用TTL、()等集成电路直接驱动。


    正确答案:很小;CMOS

  • 第9题:

    温度对半导体器件的工作性能没有影响。


    正确答案:错误

  • 第10题:

    填空题
    固态继电器(简称SSR)是一种由固态半导体器件组成的新型无触点的电子开关器件。它的输入端仅要求()的控制电流,驱动功率小,能用TTL、()等集成电路直接驱动。

    正确答案: 很小,CMOS
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    多选题
    对电子设备进行热设计的要求()
    A

    通过热设计在满足性能要求下尽可能减少设备内部的热量

    B

    通过热设计设法较少热阻

    C

    通过人设计能保证设备在较低温度条件下,以便减少参数漂移,保持电性能稳定,从而提高可靠性

    D

    减少设备的发热量


    正确答案: D,C
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    对热释电器件,以下说法中正确的是:()
    A

    热释电器件只能测量交变光照,不加偏压即可工作;

    B

    热释电器件只能测量交变光照,必须加偏压才能工作;

    C

    热释电器件可以测量稳定的光照,不加偏压即可工作;

    D

    热释电器件只能测量稳定的光照,必须加偏压才能工作;


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    整流电路主要是利用()实现的。

    • A、半导体器件的单向导电性
    • B、半导体器件的电容效应
    • C、半导体器件的击穿特性
    • D、半导体器件的温度敏感性

    正确答案:A

  • 第14题:

    表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜,使器件的表面与周围气氛隔离。()


    正确答案:正确

  • 第15题:

    半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。

    • A、性能参数
    • B、转移特性
    • C、内部性能
    • D、特性曲线

    正确答案:D

  • 第16题:

    主导TFT器件工作的半导体现象是什么?它的物理意义和主要影响参数?为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用,从半导体的角度应该提高什么,降低什么?


    正确答案:TFT器件中主要的半导体现象是电导现象。
    在电场的作用下载流子会定向地运动,导电能力由电导率决定。电导率反映半导体材料导电能力的物理量,又由载流子密度和迁移率来决定。非晶硅半导体材料没有进行掺杂,载流子密度很低。因此,决定薄膜晶体管性质的主要参数是迁移率。
    从半导体的角度应该提高迁移率,降低载流子浓度,或者降低暗电导率。

  • 第17题:

    当有金属外壳的元器件需跨接印制导线安装时,元器件引脚需(),本体需和印制导线间采取良好的绝缘措施。

    • A、搪锡
    • B、套热缩
    • C、套高温套管
    • D、成形

    正确答案:C

  • 第18题:

    集成电路的设计的主流是()

    • A、SOC(片上系统)
    • B、分立器件
    • C、电路结构简化
    • D、手工设计

    正确答案:A

  • 第19题:

    微波武器的电效应是指高功率微波在射向目标时会在目标结构的金属表面或金属导线上感应出电流或电压,这种感应电压或电流会对目标上的电子元器件产生多种效应,如造成电路中器件的状态反转、器件性能下降、半导体结击穿等。


    正确答案:正确

  • 第20题:

    半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。

    • A、性能参数
    • B、转移特性
    • C、内部性能
    • D、特性曲线

    正确答案:D

  • 第21题:

    集成电路是把二极管、三极管、电阻、电容、电感、电位器等元器件按电路的结构要求制作在一块半导体芯片上,然后封装而成的半导体器件


    正确答案:错误

  • 第22题:

    单选题
    集成电路的设计的主流是()
    A

    SOC(片上系统)

    B

    分立器件

    C

    电路结构简化

    D

    手工设计


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    问答题
    描述分立器件和集成电路的区别

    正确答案: ①分立器件:是由二极管、三极管等独立的元器件组成的,一般只能完成单一功能,体积庞大。
    ②集成电路:把由若干个晶体管、电阻、电容等器件组成的、实现某种特定功能的电子线路,集中制造在一块小小的半导体芯片上,大体上可以分为三类,半导体集成电路,混合集成电路及薄膜集成电路。半导体集成电路又可以分为双极型集成电路和金属-氧化物-半导体集成电路。
    优点:
    A.降低互连的寄生效应;
    B.可充分利用半导体晶片的空间和面积;
    C.大幅度降低制造成本。
    解析: 暂无解析