哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
第1题:
刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。
第2题:
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
第3题:
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。
第4题:
单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
第5题:
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。
第6题:
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()
第7题:
第8题:
第9题:
第10题:
第11题:
第12题:
对
错
第13题:
在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。
第14题:
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
第15题:
为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
第16题:
()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
第17题:
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
第18题:
第19题:
a.离子束刻蚀、激光刻蚀
b.干法刻蚀、湿法刻蚀
c.溅射加工、直写加工
第20题:
第21题:
第22题:
对
错
第23题: