什么是霍尔效应？霍尔元件的特点是什么？
题目
什么是霍尔效应？霍尔元件的特点是什么？
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第1题：
霍尔效应的本质是什么？霍尔元件可以测哪些物理量？设计一个利用霍尔元件测量转速的装置，并说明原理。
正确答案: 半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，产生的电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。
UH=RH*（IB/d）
根据霍尔电势公式，霍尔元件可以测电磁量：恒定的或交变的磁感应强度、有功功率、无功功率、相位、电能等参数；还可以用于位移、压力、转速的测量。
霍尔元件是磁敏元件，要想用来测转速，就必须在被测的旋转体上装一磁体，旋转时，每当磁体经过霍尔元件，霍尔元件就发出一个信号，经放大整形得到脉冲信号，也有的霍尔元件可直接输出脉冲信号，送运算，两个脉冲的间隔时间就是周期，由周期可换算出转速；也可记数单位时间内的脉冲数，再换算出转速。 -
第2题：
何谓霍尔效应？其物理本质是什么？用霍尔元件可测哪些物理量？请举出三个例子说明。
正确答案: 霍尔（Hall）效应：金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过薄片时，则在垂直于电流和磁场方向的两侧面上将产生电位差，这种现象称为霍尔效应，产生的电位差称为霍尔电势。
霍尔效应产生的机理（物理本质）：在磁场中运动的电荷受到磁场力FL（称为洛仑兹力）作用，而向垂直于磁场和运动方向的方向移动，在两侧面产生正、负电荷积累。
应用举例：电流的测量，位移测量，磁感应强度测量，力测量；计数装置，转速测量（如计程表等），流量测量，位置检测与控制，电子点火器，制做霍尔电机—无刷电机等。 -
第3题：
什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件？霍尔元件采用何种材料？由什么组成？霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
正确答案:金属或半导体薄片置于磁场中，沿着垂直于磁场的方向通以电流，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电势。基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。霍尔片是一块半导体单晶薄片（一般为4×2×0.1mm3），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。
霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法有分流电阻法和电桥补偿法。 -
第4题：
基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件。
正确答案:正确 -
第5题：
什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？霍尔元件常采用什么材料？为什么？
正确答案: 通电的导体放在磁场中，电流方向与磁场方向垂直，在导体另外两侧会产生感应电动势，这种现象称为霍尔效应。
与输入电流I，磁感应强度B，霍尔元件的灵敏度系数KB有关。EB=KBIB 霍尔元件常采用半导体材料，因为半导体材料的电子迁移率μ和载流子浓度n适中。一般采用N型半导体。 -
第6题：
什么是霍尔效应？影响霍尔电势的因素有哪些？
正确答案: 当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度 -
第7题：
什么是霍尔效应？
正确答案: 置于磁场中的一片半导体，若使磁场方向垂直于半导体平面，沿着与磁场垂直的方向给半导体通人电流，则在半导体内与磁场方向、电流方向相垂直的方向上将产生电压，称为霍尔电压。这一现象就叫霍尔效应。 -
第8题：
问答题什么是霍尔效应？影响霍尔电势的因素有哪些？正确答案： 当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题霍尔效应式开关是利用霍尔元件的霍尔效应制成的。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？正确答案： 霍尔组件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法：
A.分流电阻法：适用于恒流源供给控制电流的情况。
B.电桥补偿法。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题何谓霍尔效应？用霍尔元件可以测量哪些物理量？正确答案： 金属或半导体薄片置于磁场中，沿着垂直于磁场方向通以电流，在垂直于电流和磁场方向上产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。
霍尔元件可以测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题什么是霍尔效应？为什么半导体材料适合于做霍尔元件？正确答案： 霍尔效应为若在某导体薄片的两端通过控制电流I，并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场，则，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，称为霍尔电势或霍尔电压，这种现象称为霍尔效应。
霍尔系数：K=1/（n*q）式中，n为载流子密度，一般金属中载流子密度很大，所以金属材料的霍尔系数系数很小，霍尔效应不明显，而半导体中的载流子的密度比金属要小得多，所以半导体的霍尔系数系数比金属大得多，能产生较大的霍尔效，故霍尔元件不用金属材料而是用半导体。解析： 暂无解析 -
第13题：
何谓霍尔效应？用霍尔元件可以测量哪些物理量？
正确答案: 金属或半导体薄片置于磁场中，沿着垂直于磁场方向通以电流，在垂直于电流和磁场方向上产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。
霍尔元件可以测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。 -
第14题：
霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电动势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
正确答案: 霍尔组件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔组件的不等位电动势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电动势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法：分流电阻法适用于恒流源供给控制电流的情况；电桥补偿法。
推导分流法 -
第15题：
什么是霍尔效应？霍尔电动势与哪些因素有关？
正确答案:当载流导体中通电电流方向与磁场方向垂直时，在导体的两个端面上就有电势产生，这种现象叫做霍尔效应。与载流子浓度、激励电流大小、磁场强度、电子迁移率、载流导体的厚度有关。 -
第16题：
霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
正确答案: 霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔元件的不等位电势是霍尔元件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法：1）分流电阻法：适用于恒流源供给控制电流的情况。2）电桥补偿法 -
第17题：
霍尔传感器适用于哪些场合？霍尔元件常用材料有哪些？各有什么特点？
正确答案: 霍尔传感器（霍尔元件和集成霍尔器件）具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点，因此被广泛地应用于测量、自动控制及信息处理等领域。
目前常用的霍尔元件材料有：锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料，其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好，应用最为普遍。 -
第18题：
霍尔效应式传感器由（）组成。
- A、霍尔元件
- B、胶带
- C、永久磁铁
- D、带缺口的转子
正确答案:A,C,D -
第19题：
什么是霍尔效应线位移传感器？有什么特点？分为几个种类？
正确答案:霍尔效应线位移传感器是利用霍尔效应实现磁电转换的一种线位移传感器。霍尔效应线位移传感器具有灵敏度高、线性度好、稳定性高、体积小和耐高温等特点。分为接触式、差动式、非接触式和位移式等类型。 -
第20题：
问答题何谓霍尔效应？其物理本质是什么？用霍尔元件可测哪些物理量？请举出三个例子说明。正确答案： 霍尔（Hall）效应：金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过薄片时，则在垂直于电流和磁场方向的两侧面上将产生电位差，这种现象称为霍尔效应，产生的电位差称为霍尔电势。
霍尔效应产生的机理（物理本质）：在磁场中运动的电荷受到磁场力FL（称为洛仑兹力）作用，而向垂直于磁场和运动方向的方向移动，在两侧面产生正、负电荷积累。
应用举例：电流的测量，位移测量，磁感应强度测量，力测量；计数装置，转速测量（如计程表等），流量测量，位置检测与控制，电子点火器，制做霍尔电机—无刷电机等。解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题霍尔效应中，霍尔电势与（）A霍尔常数成正比
B霍尔常数成反比
C霍尔元件的厚度成正比
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题下列关于霍尔效应描述中，正确的是（）。A霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱，由材料的物理性质决定
B霍尔系数越大，霍尔电势越小
C霍尔元件的厚度越大，霍尔电势越大
D磁场的磁感应强度越大，霍尔电势越小
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题霍尔元件常用材料有哪些？为什么不用金属做霍尔元件材料？正确答案： 1）任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件。只有半导体材料适于制作霍尔元件。又因一般电子迁移率大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体制造。
2）金属材料电子浓度虽然很高，但电阻率很小很小，使霍尔电势很小，因此不适于做霍尔元件材料。解析： 暂无解析