更多“晶体管V1的=50,晶体管V2的=30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的p约为()。”相关问题
  • 第1题:

    晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。

    ANPN型晶体管;

    BPNP型晶体管;

    C硅管;

    D锗管。


    A

  • 第2题:

    绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以场效应晶体管作为基极,以()作为发射与集电极复合而成。


    正确答案:电力晶体管

  • 第3题:

    电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管,其等复合管的β值约为()。

    • A、β1
    • B、β2
    • C、β1+β2
    • D、β1•β2

    正确答案:D

  • 第4题:

    带阻晶体管即()。

    • A、带有一个或两个电阻的晶体管
    • B、具有电阻特性的晶体管

    正确答案:A

  • 第5题:

    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。


    正确答案:错误

  • 第6题:

    晶体管调压器中,晶体管的导通比指的是:().

    • A、晶体管的相对导通时间
    • B、晶体管的导通时间
    • C、晶体管的截止时间
    • D、晶体管的相对截止时间

    正确答案:A

  • 第7题:

    什么是晶体管中的复合管?


    正确答案: 复合管是由两个或两个以上的晶体管组合而成的等效新管子,它具有新的电气参数。两只晶体管复合连接后,对外电路仍有三个电极,其放大倍数是组合复合管的所用晶体管放大倍数的乘积。这种组合的新管子就是复合管。

  • 第8题:

    填空题
    请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

    正确答案: GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    填空题
    电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案: GTO
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    结型场效应晶体管根据结构不同分为()
    A

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极(),以()复合而成。

    正确答案: 电力场效应晶体管栅极,以电力晶体管集电极和发射极
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC将()。
    A

    增加

    B

    减少

    C

    基本不变

    D

    无法判断


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC将()。

    • A、增加
    • B、减少
    • C、基本不变
    • D、无法判断

    正确答案:A

  • 第14题:

    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极(),以()复合而成。


    正确答案:电力场效应晶体管栅极;以电力晶体管集电极和发射极

  • 第15题:

    固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC将()

    • A、增加
    • B、减少
    • C、基本不变

    正确答案:A

  • 第16题:

    请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。


    正确答案:GTR;GTO;MOSFET;IGBT;MOSFET;GTR

  • 第17题:

    请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。


    正确答案:GTR;GTO;MOSFET;IGBT;MOSFET;GTR

  • 第18题:

    晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。

    • A、NPN型晶体管;
    • B、PNP型晶体管;
    • C、硅管;
    • D、锗管。

    正确答案:A

  • 第19题:

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    填空题
    请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管 ();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

    正确答案: GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    晶体管按导电类型可分()。
    A

    NPN型及PNP型晶体管

    B

    N型晶体管

    C

    P型晶体管

    D

    PNP晶体管


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    填空题
    绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极,以以电力晶体管集电极和()作为发射极与集电极复合而成。

    正确答案: 发射极
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    填空题
    晶体管V1的=50,晶体管V2的=30,若两管组成复合晶体管,则该复合晶体管的p约为()。

    正确答案: 1500
    解析: 暂无解析