硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。

题目
硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。

相似考题

1.晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

2.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

3.晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（）V，锗管约为0.3V。A.0.7 B.0.5 C.0.3 D.0.1

4.晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

参考答案和解析
参考答案：0.7V 0.3V
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  • 第1题：

    4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。


    错误

  • 第2题：

    5、硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。


    C

  • 第3题：

    如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流反向。


    反向

  • 第4题：

    【判断题】硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。

    A．Y.是

    B．N.否


    正确

  • 第5题：

    当发射结正偏，则晶体管处于导通状态。


    零或反反正正

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